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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TOSHIBA - TLP620-2 - 双光耦合器 5KV 晶体管输出 |
通道数:2
隔离电压:5000V
输出类型:光电晶体管
输入电流:50mA
输出电压:55V
??装类型:DIP
针脚数:16
光电耦合器类型:砷化镓红外发光二极管
封装类型:DIP-8
工作温度范围:-55°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL
输出电压 最大:55V
电流, If @ CTR测量:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:600%
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TLP523 - 光耦合器 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:2500V AC
输出类型:达林顿管
输入电流:16mA
输出电压:55V
封装类型:DIP
针脚数:4
光电耦合器类型:砷化镓红外发光二极管
器件标记:TLP523
封装类型:DIP
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
输出电压 最大:55V
电流传递率(CTR) 最小值:500%
电流传递率(CTR), 典型值:2000%
芯片标号:TLP523
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上海 0
新加坡 0
英国2649 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 6N137 - 光耦合器 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:2500V
输出类型:与非门
输入电流:20mA
输出电压:5.2V
封装类型:DIP
针脚数:8
传输延时, 低至高:0.025μs
传输延时, 高至低:0.025μs
光电耦合器类型:砷化镓红外发光二极管
共模抑制(CMR):200V/μs
功耗:85mW
封装类型:DIP-8
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL
数据率:10Mbps
正向电压 Vf 最大:1.75V
电压, Vf 典型值:1.65V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.5V
输出电压 最大:5.2V
扇出:8
电流传递率(CTR), 典型值:1000%
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 6N136 - 光耦合器 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:2500V
输出类型:光电晶体管
输入电流:25mA
输出电压:15V
封装类型:DIP
针脚数:8
传输延时, 低至高:0.5μs
传输延时, 高至低:0.5μs
光电耦合器类型:砷化镓红外发光二极管
共模抑制(CMR):1000V/μs
功耗:100mW
封装类型:DIP-8
工作温度范围:-55°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL
正向电压 Vf 最大:1.7V
电压, Vf 典型值:1.65V
电源电压 最大:15V
电源电压 最小:0.5V
输出电压 最大:15V
电流, If @ CTR测量:16mA
电流传递率(CTR) 最小值:19%
电流传递率(CTR), 典型值:24%
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TLP627 - 光耦合器 5KV 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:达林顿管
输入电流:60mA
输出电压:300V
封装类型:DIP
针???数:4
光电耦合器类型:砷化镓红外发光二极管
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-55°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL
输出电压 最大:300V
电流, If @ CTR测量:1mA
电流传递率(CTR) 最小值:1000%
电流传递率(CTR), 典型值:4000%
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上海1922
新加坡88
英国 0 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TLP624-2 - 光耦合器 5KV 晶体管输出 |
通道数:2
隔离电压:5000V
输出类型:光电晶体管
输入电流:60mA
输出电压:55V
封装类??:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:砷化镓红外发光二极管
封装类型:DIP-8
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL
输出电压 最大:55V
电流, If @ CTR测量:1mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:1200%
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TLP624 - 光耦合器 5KV 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:光电晶体管
输入电流:60mA
输出电压:55V
封装类型:DIP
针脚数:4
光电耦合器类型:砷化镓红外发光二极管
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-55°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL
输出电压 最大:55V
电流, If @ CTR测量:1mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:1200%
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上海 0
新加坡45
英国 0 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TLP621(GB) - 光耦合器 5KV 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:光电晶体管
输入电流:60mA
输出电压:55V
封装类型:DIP
针脚数:4
光电耦合器类型:砷化镓红外发光二极管
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-55°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL
输出电压 最大:55V
电流, If @ CTR测量:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:600%
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上海 0
新加坡3
英国1597 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2743CV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:20mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-25°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.2V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.07V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:70V
基准源电压:2.5V
容差:2%
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:100%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2743CTV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:20mA
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-25°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.2V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.07V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:70V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
基准源电压:2.5V
容差:2%
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:100%
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上海 0
新加坡 0
英国6 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2743CT - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:20mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-25°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.2V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.07V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:70V
基准源电压:2.5V
容差:2%
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:100%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2743CSV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:20mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-25°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.2V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.07V
电???, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:70V
基准源电压:2.5V
容差:2%
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:100%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2743CS - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:20mA
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-25°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.2V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.07V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:70V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
基准源电压:2.5V
容差:2%
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:100%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2743BV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:20mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-25°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.2V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.07V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:70V
基准源电压:2.5V
容差:1%
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:100%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2743BTV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:20mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-25°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.2V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.07V
电???, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:70V
基准源电压:2.5V
容差:1%
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:100%
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