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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741CTV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:误差放大器
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
基准源电压:2.5V
容差:2%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741CT - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:误差放大器
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
基准源电压:2.5V
容差:2%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741CSV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:误差放大器
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
基准源电压:2.5V
容差:2%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741CS - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
???离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:误差放大器
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电?? 最大:37V
输出电压 最大:30V
基准源电压:2.5V
容差:2%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741BV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:误差放大器
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
基准源电压:2.5V
容差:1%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741BTV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
输出电压:30V
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:误差放大器
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
基准源电压:2.5V
容差:1%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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上海 0
新加坡81
英国925 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741BT - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:误差放大器
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
基准源电压:2.5V
容差:1%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741BSV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
基准源电压:2.5V
容差:1%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741BS - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
??装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
基准源电压:2.5V
容差:0.5%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741AV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 ??大:37V
输出电压 最大:30V
基准源电压:2.5V
容差:0.5%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741ATV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
输出电压:30V
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
基准源电压:2.5V
容差:0.5%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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上海 0
新加坡 0
英国746 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741AT - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:晶体管
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
基准源电压:2.5V
容差:0.5%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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上海 0
新加坡 0
英国2 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741ASV - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:误差放大器
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
基准源电压:2.5V
容差:0.5%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2741AS - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:晶体管
输入电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:8
光电耦合器类型:误差放大器
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.65mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:4.31mm
封装类型:8针DIL
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:50kHz
批准机构:BSI, CSA, VDE
批准类型:UL认可
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:30V
电流, Ic 最大:50mA
输入电压 最大:37V
输出电压 最大:30V
基准源电压:2.5V
容差:0.5%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD2712R1V - 光隔离误差放大器 |
通道数:1
隔离电压:2500V AC
输出类型:晶体管
输入电流:55μA
输出电压:30V
封装类型:SOP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:误差放大器
共模抑制(CMR):1.0kV/μs
功耗:85mW
外宽:4.88mm
外部深度:3.9mm
外部长度/高度:3.38mm
封装类型:8-针 SOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-40°C to +85°C
带宽:10kHz
批准机构:UL, CSA, BSI, VDE
批准类型:UL认可
正向??压 Vf 最大:1.5V
电压, Vceo:70V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
基准源电压:1.24V
容差:1%
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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