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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HCPL-2601 - 光耦合器 逻辑输出 |
通道数:1
隔离电压:2500V AC
输出类型:逻辑门电路
输入电流:5mA
封装类型:DIP
针脚数:8
传输延时, 低至高:45ns
传输延时, 高至低:45ns
光电耦合器类型:逻辑门电路输出
共模抑制(CMR):5000V/μs
器件数:Single
封装类型:DIL-8
波特率, 比特/秒:10Mbps
输出使能:Yes
输出电压 最大:7V
电压, Vcm:50V
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停产 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HCPL-2531.S - 光耦合器双晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:2500V
输出类型:晶体管
输入电流:25mA
输出电压:20V
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SMDIP-8
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
输出电压 最大:20V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
电流传递率(CTR) 最小值:19%
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上海 0 美国172 新加坡32 英国268 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HCPL-2531 - 光耦合器双晶体管输出 |
通道数:2
隔离电压:2500V
输出类型:晶体管
输入电流:25mA
输出电压:20V
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
传输延时, 低至高:0.3μs
传输延时, 高至低:0.45μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIP-8
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
最大连续电流, Ic:400mA
波特率, 比特/秒:1Mbps
电流, Ic 最大:400mA
输出电压 最大:20V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
电流, If @ CTR测量:16mA
电流传递率(CTR) 最小值:19%
电流传递率(CTR), 典型值:19%
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上海 0 新加坡200 英国1532 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HCPL-2530 - 光耦合器双晶体管输出 |
通道数:2
隔离电压:2500V
输出类型:晶体管
输入电流:25mA
输出电压:20V
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
传输延时, 低至高:0.5μs
传输延时, 高至低:0.45μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIP-8
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
最大连续电流, Ic:400mA
波特率, 比特/秒:1Mbps
电流, Ic 最大:400mA
输出电压 最大:20V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
电流, If @ CTR测量:16mA
电流传递率(CTR) 最小值:7%
电流传递率(CTR), 典型值:7%
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上海 0 新加坡 0 英国960 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HCPL-2503 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:2500V
输出类型:晶体管
输入电流:25mA
输出电压:20V
封装类型:DIP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
传输延时, 低至高:0.3μs
传输延时, 高至低:0.45μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIP-8
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
最大连续电流, Ic:200mA
波特率, 比特/秒:1Mbps
电流, Ic 最大:200mA
输出电压 最大:20V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
电流, If @ CTR测量:16mA
电流传递率(CTR) 最小值:12%
电流传递率(CTR), 典型值:12%
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上海 0 新加坡 0 英国547 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11N3SR2V-M - 光耦合器施密特触发器 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:施密特触发器
???入电流:30mA
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:施密特触发输出
封装类型:SMD-6
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:VDE
数据率:1Mbps
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:16V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11N3-M - 光耦合器施密特触发器 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:施密特触发器
输入电流:30mA
输出电压:16V
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:施密特触发输出
封装类型:DIP-6
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:VDE
数据率:5Mbps
电压, Vcc 最大:16V
电流, Ic (通态):1mA
输出电压 最大:16V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海10 新加坡 0 英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11N2V-M - 光耦合器施密特触发器 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:施密特触发器
输入电流:30mA
输出电压:16V
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:施密特触发输出
封装类型:DIP-6
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:VDE
数据率:5Mbps
电压, Vcc 最大:16V
电流, Ic (通态):5mA
输出电压 最大:16V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国408 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11N2-M - 光耦合器施密特触发器 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:施密特触发器
输入电流:30mA
输出电压:16V
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:施密特触发输出
封装类型:DIP-6
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:VDE
数据率:5Mbps
电压, Vcc 最大:16V
电流, Ic (通态):5mA
输出电压 最大:16V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡20 英国1213 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11N1V-M - 光耦合器 施密特触发输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:Schmitt Trigger
输入电流:30mA
封装类型:DIP
针脚数:6
光电耦合器类型:Schmitt Trigger Output
封装类型:DIL
批准机构:VDE
数据率:5Mbps
电压, Vcc 最大:16V
电流, Ic (通态):3.2mA
输出电压 最大:16V
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11N1SR2V-M - 光耦合器施密特触发器 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:施密特触发器
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:施密特触发输出
封装类型:SOIC
批准机构:VDE
数据率:5Mbps
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:16V
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11N1-M - 光耦合器施密特触发器 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:施密特触发器
输入电流:30mA
输出电压:16V
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:施密特触发输出
封装类型:DIP-6
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:VDE
数据率:5Mbps
电压, Vcc 最大:16V
电压, Vf 典型值:3.2V
电流, Ic (通态):3.2mA
输出电压 最大:16V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡30 英国331 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11L3V-M - 光耦合器施密特触发器 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:施密特触发器
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
光电耦合器类型:施密特触发输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:VDE
数据率:1Mbps
电压, Vcc 最大:16V
电流, Ic (通态):5mA
输出电压 最大:16V
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停产 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11L3SR2V-M - 光耦合器施密特触发器 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:施密特触发器
输入电流:60mA
输出电压:16V
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:施密特触发输出
封装类型:SMD-6
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:VDE
数据率:1Mbps
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:16V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡90 英国119 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11L3-M - 光耦合器施密特触发器 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:施密特触发器
输入电流:60mA
输出电压:16V
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:施密特触发输出
封装类型:DIP-6
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:VDE
数据率:1Mbps
电压, Vcc 最大:16V
电流, Ic (通态):5mA
输出电压 最大:16V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡46 英国1119 |
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