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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNX35U - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离??压:4400V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:3μs
下降时间:3μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-40°C to +100°C
批准机构:CSA
排距:9mm
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流传递率(CTR) 最小值:40%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11G3 - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:3535V
输出类型:达林顿
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:100μs
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:CSA
电压, Vceo:55V
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:55V
电流传递率(CTR) 最小值:1000%
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上海190
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11G2 - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:3535V
输出类型:达林顿
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:100μs
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:CSA
电压, Vceo:80V
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:80V
电流传递率(CTR) 最小值:1000%
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N33-FCH - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:2500V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:5μs
下降时间:100μs
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:CSA
电压, Vceo:30V
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
电流传递率(CTR) 最小值:500%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N32 - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:2500V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:100μs
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:CSA
电压, Vceo:30V
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:500%
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上海 0
新加坡11
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11AG1 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离??压:5656V
输出类型:晶体管
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:CSA
排距:9mm
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:30V
饱和电压, Vce sat 最大:5V
击穿电压 最小:30V
电流传递率(CTR) 最小值:300%
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11D1 - 光耦合器H/V 晶体管输出 |
通道数:1
??离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:80mA
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:5ns
下降时间:5ns
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
排距:9mm
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:300V
击穿电压 最小:300V
电流传递率(CTR) 最小值:20%
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MCT2201.300 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:7500V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:6μs
下降时间:5.5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:VDE0884
排距:9mm
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MCT210 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离??压:2500V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:CSA
排距:9mm
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流传递率(CTR) 最小值:150%
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上海 0
新加坡11
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - H11A1.300 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:7500V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:2μs
下降时间:2μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:CSA
排距:9mm
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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上海405
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-3.300 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:2μs
下降时间:2μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:VDE, UL, CSA
排距:9mm
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:70V
击穿电压 最小:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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上海550
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-2.300 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:2μs
下降时间:2μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:VDE, UL, CSA
排距:9mm
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:70V
击穿电压 最小:70V
电流传递率(CTR) 最小值:63%
电流传递率(CTR), 最大值:125%
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上海320
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-1.300 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:晶体管
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:2μs
下降时间:2μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:VDE, UL, CSA
排距:9mm
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:70V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
击穿电压 最小:70V
电流传递率(CTR) 最小值:40%
电流传递率(CTR), 最大值:80%
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N37 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:1500V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:CSA
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海320
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N36 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:2500V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:CSA
电流, If 平均:10mA
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海310
新加坡 0
英国 0 |
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1 |
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