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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SHARP - PC123X5YUP0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:SMD-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:12mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:20mA
电流, Ic 最小值:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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无库存 |
1 |
1 |
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SHARP - PC123X1YUP0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:SMD-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:12mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:7.5mA
电流, Ic 最小值:2.5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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无库存 |
1 |
1 |
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SHARP - PC123X5YIP0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:10mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:20mA
电流, Ic 最小值:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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无库存 |
1 |
1 |
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SHARP - PC123X2YIP0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:SMD
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:10mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:12mA
电流, Ic 最小值:5mA
表面安装器件:表面安装
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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无库存 |
1 |
1 |
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SHARP - PC123X1YIP0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:SMD
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:SMD-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:10mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:7.5mA
电流, Ic 最小值:2.5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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无库存 |
1 |
1 |
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SHARP - PC123X5YFZ0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:6.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:10.16mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:20mA
电流, Ic 最小值:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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无库存 |
1 |
1 |
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SHARP - PC123X1YFZ0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:6.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:10.16mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:7.5mA
电流, Ic 最小值:2.5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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上海 0
新加坡 0
英国231 |
1 |
1 |
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SHARP - PC123X5YSZ0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:7.62mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:20mA
电流, Ic 最小值:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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无库存 |
1 |
1 |
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SHARP - PC123X2YSZ0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:7.62mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:12.5mA
电流, Ic 最小值:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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上海 0
新加坡30
英国 0 |
1 |
1 |
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SHARP - PC123X1YSZ0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:7.62mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:7.5mA
电流, Ic 最小值:2.5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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无库存 |
1 |
1 |
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SHARP - GP1S097HCZ0F - 光遮断传感器 |
通道数:1
输出类型:Phototransistor
输入电流:50mA
封装类型:Slotted
针脚数:4
上升时间:50μs
下降时间:50μs
功耗:100mW
外宽:4.5mm
外部深度:2.6mm
外部长度/高度:4.5mm
封装类型:Slotted Switch
工作温度范围:-25°C to +85°C
引脚节距:3.55mm
排距:2mm
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:35V
电压, Vf 典型值:1.2V
电流, Ic 最大:20mA
缝隙宽度:2mm
表面安装器件:径向引线
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上海 0
新加坡 0
英国29 |
1 |
1 |
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SHARP - GP2S60 - 光遮断传感器 |
通道数:1
输出类型:Phototransistor
输入电流:50mA
封装类型:SMD
针脚数:4
上升时间:20μs
下降时间:20μs
功耗:100mW
外宽:3.2mm
外部深度:1.7mm
外部长度/高度:1.1mm
封装类型:SMD
工作温度范围:-25°C to +85°C
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:35V
电压, Vf 典型值:1.2V
电流, Ic 最大:20mA
表面安装器件:表面安装
探测距离:0.5mm
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上海 0
新加坡 0
英国563 |
1 |
1 |
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SHARP - GP2S700HCP - 光遮断传感器 |
通道数:1
输出类型:Phototransistor
输入电流:50mA
封装类型:SMD
针脚数:4
上升时间:20μs
下降时间:20μs
功耗:100mW
外宽:4mm
外部深度:3mm
外部长度/高度:2mm
封装类型:SMD
工作温度范围:-25°C to +85°C
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:35V
电压, Vf 典型值:1.2V
电流, Ic 最大:20mA
表面安装器件:表面安装
探测距离:3mm
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无库存 |
1 |
1 |
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AVAGO TECHNOLOGIES - ACPL-217-50CE - 光电耦合器 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:3000V
输出类型:光电三极管
输入电流:50mA
输出电压:80V
封装类型:SOIC
针脚数:4
上升时间:2μs
下降时间:3μs
功耗:200mW
封装类型:4脚SO
工作温度范围:-55°C to +110°C
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:80V
电压, Vf 典型值:1.2V
输出电压 最大:80V
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上海50
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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NTE ELECTRONICS - NTE3086 - 光电耦合器 7500VRMS |
光电耦合器 7500VRMS
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美国 0
上海 0
美国 14
新加坡 0 |
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