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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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STMICROELECTRONICS - M24C32-WMN6P - 芯片 串口EEPROM 32K |
存储器容量:32Kbit
存储器配置:4K x 8bit
接口:I2C, Serial
时钟频率:400kHz
访问时间:900ns
电源电压范围:2.5V to 5.5V
封装类型:SO
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SO
器件标号:24
存储器容量:32Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:EEPROM
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:+85°C
接口类型:Serial, I2C
电压, Vcc:5V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.5V
芯片标号:24C32
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:24C32
频率:400kHz
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上海120
新加坡1963
英国37 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M24256-BWMW6G - 芯片 串口EEPROM 256K |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
接口:I2C, Serial
时钟频率:1MHz
访问时间:500ns
电源电压范围:2.5V to 5.5 V
封装类型:SO-W
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SO-W
器件标号:24256
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:EEPROM
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:+85°C
接口类型:Serial, I2C
电压, Vcc:5V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.5V
芯片标号:24256
表面安装器件:表面安装
频率:400kHz
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上海 0
新加坡141
英国 0 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M24256-BWMN6P - 芯片 串口EEPROM 256K |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
接口:I2C, Serial
时钟频率:1MHz
访问时间:500ns
电源电压范围:2.5V to 5.5 V
封装类型:SO
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SO
器件标号:24256
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:EEPROM
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:+85°C
接口类型:Serial, I2C
电压, Vcc:5V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.5V
芯片标号:24256
表面安装器件:表面安装
频率:400kHz
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上海11
新加坡200
英国759 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M24128-BWMN6P - 芯片 串口EEPROM 128K |
存储器容量:128Kbit
存储器配置:16K x 8bit
接口:I2C, Serial
时钟频率:400kHz
访问时间:900ns
电源电压范围:2.5V to 5.5V
封装类型:SO
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SO
器件标号:24128
存储器容量:128Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:EEPROM
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:+85°C
接口类型:Serial, I2C
电压, Vcc:5V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.5V
芯片标号:24128
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:24128
频率:400kHz
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上海70
新加坡1998
英国2571 |
1 |
1 |
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NUMONYX - NAND02GW3B2CN6E - 芯片 闪存 NAND 2G |
存储器类型:Flash, NAND
存储器配置:250M x 8bit
访问时间:25μs
封装类型:TSOP
针脚数:48
工作温度???围:-40°C to + 85°C
封装类型:TSOP
分区尺寸:135168Byte
器件标号:02
存储器容量:2Gbit
存储器电压 Vcc:3.3V
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
接口类型:Parallel
每页:2112Byte
电压, Vcc:3.3V
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
读写周期:4
读周期 tRC:30ns
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上海16
新加坡4
英国41 |
1 |
1 |
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NUMONYX - NAND01GW3B2BN6E - 芯片 闪存 NAND 1G |
存储器类型:Flash, NAND
存储器配置:125M x 8bit
接口:Parallel
访问时间:25μs
电源电压范围:2.7V to 3.6V
封装类型:TSOP
针脚数:48
工作温度范围:-40°C to + 85°C
封装类型:TSOP
分区尺寸:135168Byte
器件标号:01
存储器容量:1Gbit
存储器电压 Vcc:3.3V
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
接口类型:Parallel
每页:2112Byte
电压, Vcc:3.3V
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
读写周期:4
读周期 tRC:30ns
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上海 0
新加坡19
英国1285 |
1 |
1 |
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NUMONYX - NAND512W3A2BN6E - 芯片 闪存 NAND 512M |
存储器类型:Flash, NAND
存储器配置:4K x 32bit
访问时间:12μs
封装类型:TSOP
针脚数:48
工作温度范围:-40°C to + 85°C
封装类型:TSOP
器件标号:512
存储器容量:512Mbit
存储器电压 Vcc:3.3V
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电压, Vcc:3.3V
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停产 |
1 |
1 |
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NUMONYX - NAND256W3A2BN6E - 芯片 闪存 NAND 256M |
存储器类型:Flash, NAND
存储器容量:256Mbit
存储器配置:32M x 8bit
访问时间:12μs
电源电压范围:1.7V to 1.95V, 2.7V to 3.6V
封装类型:TSOP
针脚数:48
工作温度范围:-40°C to + 85°C
封装类型:TSOP
分区尺寸:16896Byte
器件标号:256
存储器容量:256Mbit
存储器电压 Vcc:3.3V
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
接口类型:Parallel
每页:528Byte
电压, Vcc:3.3V
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
读写周期:3
读周期 tRC:50ns
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上海 0
新加坡 0
英国5 |
1 |
1 |
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NUMONYX - NAND128W3A2BN6E - 芯片 闪存 NAND 128M |
存储器类型:Flash, NAND
存储器容量:128Mbit
存储器配置:16M x 8bit
访问时间:12μs
电源电压范围:1.7V to 1.95V, 2.7V to 3.6V
封装类型:TSOP
针脚数:48
工作温度范围:-40°C to + 85°C
封装类型:TSOP
分区尺寸:16896Byte
器件标号:128
存储器容量:128Mbit
存储器电压 Vcc:3.3V
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
接口类型:Parallel
每页:528Byte
电压, Vcc:3.3V
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
读写周期:4
读周期 tRC:50ns
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上海26
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1644-120+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) 256K |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
接口:Parallel
访问时间:120ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1644
存储器容量: 256K位
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:防失RAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1644
表面安装器件:通孔安装
逻辑功能号:1644
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上海 0
新加坡7
英国30 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1225Y-150+ - 芯片 非易失性存储器 (NVRAM) CMOS 64K |
存储器容量:64Kbit
存储器配置:8K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:150ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1225
存储器容量: 64 K位
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:易失性RAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1225
表面安装器件:??孔安装
逻辑功能号:1225
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上海 0
新加坡3
英国263 |
1 |
1 |
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NUMONYX - M29F800DB70M6E - 芯片 闪存 底部引导 8M |
存储器类型:闪存
存储器配置:1Mx8 或 512Kx16
封装类型:SOIC
针脚数:44
工作温度范围:0°C to + 70°C
封装类型:SOIC
器件标号:29
存储器容量: 8 M位
存储器电压 Vcc:5V
容差, Vcc +:10%
容差, Vcc -:10%
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
扇区类型:底部引导
温度范围:商用
电压, Vcc:5V
编程电压:5V
芯片标号:29F800
表面安装器件:表面安装
访问时间:70ns
逻辑功能号:29F800
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停产 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M27C512-90C1 - 芯片 PROM 一次编程 CMOS 512K |
存储器类型:EPROM, OTP
存储器容量:512Kbit
存储器配置:64K x 8bit
访问时间:90ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:PLCC
针脚数:32
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:PLCC
器件标号:27
存储器容量:512Kbit
存储器电压 Vcc:5V
容差, Vcc +:10%
容差, Vcc -:10%
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
接口类型:Parallel
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
编程电压:12.75V
芯片标号:27C512
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:27C512
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上海30
新加坡220
英国262 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48Z128-70PM1 - 芯片 SRAM ZEROPOWER? 1MB |
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:70ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V, 4.75V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:32
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:48
存储器容量:1Mbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:SRAM
接口类型:Parallel
数据保持时间:10Yr
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.75V
芯片标号:48Z128
表面安装器件:通孔安装
逻辑功能号:48Z128
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上海 0
新加坡 0
英国8 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M95040-WMN6P - 芯片 EEPROM SPI 4K |
存储器容量:4Kbit
存储器配置:512 x 8bit
接口:Serial, SPI
时钟频率:10MHz
电源电压???围:2.5V to 5.5V
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
器件标号:95040
存储器容量: 4 K位
存储器电压 Vcc:2.5V
存储器类型:EEPROM
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:+85°C
接口类型:Serial, SPI
电压, Vcc:2.5V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.5V
芯片标号:95040
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:95040
频率:10MHz
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上海 0
新加坡2
英国1092 |
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1 |
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| 共 84 页 | 第 54 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
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