图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
|
STMICROELECTRONICS - STGB7NC60HDT4 - 晶体管 IGBT 600V 14A D2PAK SMD |
晶体管类型:PowerMESH
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:8.5ns
下降时间:72ns
功耗:80W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:25A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:50A
表面安装器件:表面安装
|
上海 0 新加坡 0 英国2 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB7NB40LZT4 - 晶体管 IGBT 400V 14A D2PAK SMD |
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:4500ns
下降时间:3600ns
功耗:100W
封装类型:D2-PAK
最大连续电流, Ic:14A
电压, Vces:400V
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB6NC60HT4 - 晶体管 IGBT 600V 7A D2PAK SMD |
晶??管类型:PowerMESH
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:5ns
下降时间:76ns
功耗:56W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:15A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:21A
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB6NC60HDT4 - 晶体管 IGBT 600V 7A D2PAK SMD |
晶体管类型:PowerMESH
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:5ns
下降时间:76ns
功耗:56W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:15A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:21A
表面安装器件:表面安装
|
上海 0 新加坡 0 英国113 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - 晶体管 IGBT 412V 20A D2PAK SMD |
晶体管类型:PowerMESH
饱和电压, Vce sat 最大:2V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:220ns
下降时间:1600ns
功耗:200W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:40A
电压, Vces:412V
电流, Icm 脉冲:80A
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB20NB37LZT4 - 晶体管 IGBT 400V 20A D2PAK SMD |
晶体管类型:PowerMESH
饱和电压, Vce sat 最大:2V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:600ns
下降时间:11500ns
功耗:200W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:40A
电压, Vces:400V
电流, Icm 脉冲:80A
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB20NB32LZ-1 - 晶体管 IGBT 350V 20A I2PAK SMD |
??体管类型:PowerMESH
饱和电压, Vce sat 最大:2V
封装类型:I2-PAK
针脚数:3
上升时间:600ns
下降时间:2000ns
功耗:150W
封装类型:I2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:40A
电压, Vces:350V
电流, Icm 脉冲:80A
表面安装器件:通孔安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB14NC60KT4 - 晶体管 IGBT 600V 14A D2PAK SMD |
晶体管类型:PowerMESH
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:8.5ns
下降时间:75ns
功耗:80W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:25A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:50A
表面安装器件:表面安装
|
上海 0 新加坡 0 英国620 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB14NC60KDT4 - 晶体管 IGBT 600V 14A D2PAK SMD |
晶体管类型:Short Circuit Rated
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:8.5ns
下降时间:75ns
功耗:80W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:25A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:50A
表面安装器件:表面安装
|
上海 0 新加坡 0 英国6 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB10NC60KT4 - 晶体管 IGBT 600V 10A D2PAK SMD |
晶体管类型:PowerMESH
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:6ns
下降时间:82ns
功耗:60W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:20A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:30A
表面安装器件:表面安装
|
上海 0 新加坡 0 英国2 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB10NB60ST4 - 晶体管 IGBT 600V 10A D2PAK SMD |
晶体管类型:PowerMESH
饱和电压, Vce sat 最大:1.7V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:460ns
下降时间:1200ns
功耗:80W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:20A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:80A
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
STMICROELECTRONICS - STGB10NB40LZT4 - 晶体管 IGBT 410V 20A D2PAK SMD |
晶体管类型:PowerMESH
饱和电压, Vce sat 最大:1.8V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:270ns
下降时间:1400ns
功耗:150W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:20A
电压, Vces:410V
电流, Icm 脉冲:40A
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR - MGP15N40CLG - 分立式晶体管 IGBT |
分立式晶体管 IGBT
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PH50KPBF - 晶体管 IGBT |
晶体管 IGBT
|
美国 0 上海 0 美国3879 新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGPS40B120UDP - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
|
美国 0 上海 0 美国327 新加坡 0 |
1 |
1 |
|
共 18 页 | 第 5 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |