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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG20N60A4.. - 晶体管 IGBT 3-TO-247 70A |
晶体管 IGBT 3-TO-247 70A
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG12N60C3D - 晶体管 IGBT 3-TO-247 24A |
晶体管 IGBT 3-TO-247 24A
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG12N60A4D - 晶体管 IGBT 3-TO-247 54A |
晶体管 IGBT 3-TO-247 54A
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美国 0
上海 0
美国427
新加坡85 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGH60N6S2.. - 晶体管 IGBT 3-TO-247 75A |
晶体管 IGBT 3-TO-247 75A
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无库存 |
1 |
25 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC50W - 晶体管 IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.3V
最大功耗:200W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:33ns
下降时间:120ns
下降时间最大:120ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:55A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:220A
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC40W - 晶体管 IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:160W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:23ns
下降时间:124ns
下降时间最大:124ns
功率, Pd:160W
功耗:160W
封装类型:TO-247
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:40A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:160A
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上海 0
新加坡2
英国 0 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC40FD - 晶体管 IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.8V
最大功耗:160W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:32ns
下降时间最大:170ns
功率, Pd:160W
功耗:160W
封装类型:TO-247
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:49A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:200A
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC20U - 晶体管 IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
最大功耗:60W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220
针脚数:3
上升时间:13ns
下降时间最大:120ns
功率, Pd:60W
功耗:60W
封装类型:TO-220
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:13A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:52A
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC40KD - 晶体管 IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
最大功耗:160W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:37ns
下降时间典型值:140ns
功率, Pd:160W
功耗:160W
封装类型:TO-247
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:42A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:84A
耐短路时间最短:10μs
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PH50U - 晶体管 IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:3.7V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:15ns
下降时间最大:500ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:45A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:180A
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC30S - 晶体管 IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
最大功耗:100W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220
针脚数:3
上升时间:18ns
下降时间最大:590ns
功率, Pd:100W
功耗:100W
封装类型:TO-220
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:34A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:68A
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP7N60A4D - 晶体管 IGBT N TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:34A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:125W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
上升时间:11ns
下降时间:45ns
下降时间典型值:45ns
功率, Pd:125W
功耗:125W
封装类型:TO-220AB
封装类型, 替代:TO-263
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:34A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:56A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP7N60A4 - 晶体管N IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:34A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:125W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:11ns
下降时间:45ns
功率, Pd:125W
功耗:125W
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:34A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:56A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡30
英国410 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP3N60A4D - 晶体管 IGBT N TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:17A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:70W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:11ns
下降时间:47ns
下降时间典型值:47ns
功率, Pd:70W
功耗:70W
封装类型:TO-220AB
封装类型, 替代:TO-263
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:17A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
表面安装器件:通孔安装
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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停产 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP3N60A4 - 晶体管N IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:17A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:70W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:11ns
下降时间:47ns
功率, Pd:70W
功耗:70W
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:70W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:17A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
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