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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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AVAGO TECHNOLOGIES - HSMS-2802-TR1G - 双肖特基二极管 RF SOT-23 |
二极管配置:1 Pair Series Connection
电压, Vr 最高:70V
正向电流 If:1A
正向电压, 于If:0.41V
总电容 Ct 最大值:2pF
封装形式:SOT-23
针脚数:3
二极管类型:RF Schottky
反向电流, Ir 最大值:10μA
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
正向电压 Vf 最大:410mV
热电容值, Ct:2pF
电压, Vrrm:70V
电流, If 平均:1A
表面安装器件:表面安装
SMD标号:A2
击穿电压:70V
最大功耗:250mW
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上海75
新加坡88
英国1921 |
1 |
1 |
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AVAGO TECHNOLOGIES - HSMS-2820-TR1G - 肖特基二极管 RF SOT-23 |
二极管配置:单
电压, Vr 最高:15V
正向电流 If:1A
正向电压, 于If:0.34V
总电容 Ct 最大值:1pF
封装形式:SOT-23
针脚数:3
二极管类型:RF Schottky
反向电流, Ir 最大值:0.1μA
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
正向电压 Vf 最大:340mV
热电容值, Ct:1pF
电压, Vrrm:15V
电流, If 平均:1A
电流, Ifs 最大:1A
表面安装器件:表面安装
针脚配置:a
SMD标号:C0
击穿电压:15V
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上海50
新加坡60
英国3194 |
1 |
1 |
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AVAGO TECHNOLOGIES - HSMP-3810-TR1G - 二极管 RF PIN SOT-23 |
二极管串联电阻 Rs:3ohm
二极管类型:射频
器件标记:E0
封装类型:SOT-23
总电容 Ct 最大值:0.35pF
电压 Vbr:100V
电阻上限 Rh 最小:1500ohm
电阻下限 Rl 最大:10ohm
表面安装器件:表面安装
针脚数:3
封装形式:SOT-23
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上海30
新加坡3
英国1572 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - ULN2804APG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN |
模块配置:8 NPN
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:760mW
直流电流增益 hFE:1000
工作温??范围:-40°C to +85°C
封装类型:PDIP
针脚数:18
器件标记:ULN2804AP
封装类型:DIP
晶体管数:8
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:通孔安装
器件标号:2804
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
芯片标号:2804
输入电压 最大:15V
输入电压 最小:6V
输入类型:CMOS, PMOS 6/15V
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
输出类型:CMOS
通道数:8
逻辑功能号:2804
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上海 0
新加坡149
英国610 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - ULN2803APG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN |
模块配置:8 NPN
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:760mW
直流电流增益 hFE:1000
工作温??范围:-40°C to +85°C
封装类型:PDIP
针脚数:18
封装类型:DIP
晶体管数:8
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:通孔安装
器件标号:2803
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
芯片标号:2803
输入电压 最大:30V
输入类型:TTL, CMOS 5V
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
输出类型:TTL / CMOS
通道数:8
逻辑功能号:2803
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上海1513
新加坡 0
英国11475 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - ULN2004APG - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN |
模块配置:7 NPN
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:760mW
直流电流增益 hFE:1000
工作温??范围:-40°C to +85°C
封装类型:PDIP
针脚数:16
封装类型:DIP
晶体管数:7
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:通孔安装
器件标号:2004
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
芯片标号:2004
输入电压 最大:15V
输入电压 最小:6V
输入类型:CMOS, PMOS 6/15V
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
输出类型:集电极开路
通道数:7
逻辑功能号:2004
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上海330
新加坡37
英国510 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - ULN2004AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN |
模块配置:7 NPN
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:650mW
直流电流增益 hFE:1000
工??温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
针脚数:16
封装类型:SOIC
晶体管数:7
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:表面安装
器件标号:2004
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
芯片标号:2004
输入电压 最大:15V
输入电压 最小:6V
输入类型:CMOS, PMOS 6/15V
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
输出类型:集电极开路
通道数:7
逻辑功能号:2004
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上海 0
新加坡3
英国 0 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - ULN2003APG(SCM) - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:16
器件标记:ULN2003AP
封装类型:DIP
晶体管数:7
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:通孔安装
器件标号:2003
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
芯片标号:2003
输入电压 最大:5V
输入类型:TTL, CMOS 5V
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
输出类型:集电极开路
通道数:7
逻辑功能号:2003
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上海198
新加坡32
英国 0 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - ULN2003AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN |
模块配置:7 NPN
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:650mW
直流电流增益 hFE:1000
工??温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
针脚数:16
器件标记:ULN2003AF
封装类型:SOIC
晶体管数:7
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:表面安装
器件标号:2003
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
芯片标号:2003
输入电压 最大:5V
输入类型:TTL, CMOS 5V
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
输出类型:集电极开路
通道数:7
逻辑功能号:2003
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上海670
新加坡67
英国478 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - ULN2804AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN |
模块配置:8 NPN
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:1.31W
直流电流增益 hFE:1000
工??温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
针脚数:18
封装类型:SOIC
晶体管数:8
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:表面安装
器件标号:2803
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
芯片标号:2803
输入电压 最大:40V
输入电压 最小:0.5V
输入类型:逻辑
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
通道数:8
逻辑功能号:2803
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上海100
新加坡15
英国 0 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - ULN2803AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN |
模块配置:8 NPN
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:480mW
直流电流增益 hFE:1000
工??温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
针脚数:18
封装类型:SOIC
晶体管数:8
晶体管类型:功率达林顿
表面安装器件:表面安装
器件标号:2803
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
芯片标号:2803
输入电压 最大:30V
输入电压 最小:0.5V
输入类型:逻辑
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
通道数:8
逻辑功能号:2803
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上海382
新加坡315
英国 0 |
1 |
1 |
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