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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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VISHAY SILICONIX - U430-E3 - 晶体管 JFET |
晶体管 JFET
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - U309-E3 - 晶体管 |
晶体管
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - 2N4416A-E3. - 晶体管 |
晶体管
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无库存 |
1 |
25 |
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VISHAY SILICONIX - 2N5912-E3 - 晶体管 JFET |
晶体管 JFET
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - U1898 - 晶体管 JFET N TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-40V
电压, Vgs off 最大:-7V
功耗:625mW
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:TO-92
应用代码:GPS
总功率, Ptot:0.625W
晶体管极性:N
栅极电流, Ig:50mA
电压, Vds 最大:40V
电流, Idss 最小:15mA
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PN4392 - 晶体管 JFET N TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:30V
电压, Vgs off 最大:5V
功耗:625mW
封装类型:TO-92
针脚数:3
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:0.625W
晶体管极性:N Channel
电流, Idss 最大:75mA
电流, Idss 最小:25mA
表面安装器件:通孔安装
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上海 0 新加坡6111 英国504 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J105 - 晶体管 JFET N TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:25V
电压, Vgs off 最大:10V
功耗:625mW
封装类型:TO-92
针脚数:3
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:0.625W
晶体管极性:N Channel
电流, Idss 最小:500mA
表面安装器件:通孔安装
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上海 0 新加坡15 英国712 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SST4416-E3 - 晶体管 JFET N TO-238 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:30V
电压, Vgs off 最大:6V
功耗:350mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-236
针脚数:3
封装类型:TO-236
晶体管极性:N Channel
电流, Idss 最大:15mA
电流, Idss 最小:5mA
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡40 英国 0 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SST4393-E3 - 晶体管 JFET N TO-237 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-40V
电压, Vgs off 最大:-3V
功耗:350mW
封装类型:TO-236
封装类型:TO-236
晶体管极性:N
电流, Idss 最小:5mA
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SST4392-E3 - 晶体管 JFET N TO-236 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-40V
电压, Vgs off 最大:-5V
功耗:350mW
封装类型:TO-236
封装类型:TO-236
晶体管极性:N
电流, Idss 最小:25mA
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SST4117-E3 - 晶体管 JFET N |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-40V
电压, Vgs off 最大:-1.8V
功耗:350mW
封装类型:TO-236
封装类型:TO-236
晶体管极性:N
电流, Idss 最大:90μA
电流, Idss 最小:30μA
表面安装器件:表面安装
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停产 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SST309-E3 - 晶体管 JFET N TO-236 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
电压, Vgs off 最大:-4V
功耗:350mW
封装类型:TO-236
封装类型:TO-236
晶体管极性:N
电流, Idss 最大:30mA
电流, Idss 最小:12mA
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SST202-E3 - 晶体管 JFET N |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-40V
电压, Vgs off 最大:-4V
功耗:350mW
封装类型:TO-236
封装类型:TO-236
晶体管极性:N
电流, Idss 最大:4.5mA
电流, Idss 最小:0.9mA
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PN4393 - 晶体管 JFET N TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:30V
电压, Vgs off 最大:3V
功耗:625mW
封装类型:TO-92
针脚数:3
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:0.625W
晶体管极性:N Channel
电流, Idss 最大:30mA
电流, Idss 最小:5mA
表面安装器件:通孔安装
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上海60 新加坡200 英国702 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PN4117A - 晶体管 JFET N TO-92 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:40V
电压, Vgs off 最大:1.8V
功耗:350mW
封装类??:TO-92
针脚数:3
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:0.35W
晶体管极性:N Channel
电流, Idss 最大:90μA
电流, Idss 最小:30μA
表面安装器件:通孔安装
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上海 0 新加坡263 英国598 |
1 |
1 |
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