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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5804TRPBF - 场效应管 MOSFET N 40V TSOP-6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.5A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.198ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TSOP
功率, Pd:2W
封装类型:TSOP
应用代码:LowR
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:2.5A
漏极连续电流, Id @ 70摄氏度:2
热阻, 结至外壳 A:62.5°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds:40V
电压, Vds 典型值:-40V
电流, Id 连续:2.5A
电流, Idm 脉冲:10A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典???值:-3V
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上海 0 新加坡 0 英国42 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5803TRPBF - 场效应管 MOSFET N 40V TSOP-6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-3.4A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.112ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:-3V
功耗:2W
封装类型:TSOP
针脚数:6
功率, Pd:2W
封装类型:TSOP
应用代码:LowR
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:3.4A
漏极连续电流, Id @ 70摄氏度:2.7
热阻, 结至外壳 A:62.5°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds:40V
电压, Vds 典型值:-40V
电流, Id 连续:3.4A
电流, Idm 脉冲:27A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
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上海 0 新加坡 0 英国2370 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5800TRPBF - 场效应管 MOSFET N 30V TSOP-6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.085ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:-1V
功耗:2W
封装类型:TSOP
针脚数:6
功率, Pd:2W
封装类型:TSOP
应用代码:LowR
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:4A
漏极连续电流, Id @ 70摄氏度:3.2
热阻, 结至外壳 A:62.5°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds:30V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:4A
电流, Idm 脉冲:32A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1V
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上海 0 新加坡29 英国 0 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF2907ZLPBF - 场效应管 MOSFET N 75V D2-PAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:75A
电压, Vds 最??:75V
开态电阻, Rds(on):4.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:D2-PAK
功率, Pd:330W
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id @ 100摄氏度:120A
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:170A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:75V
电压, Vds 典型值:75V
电流, Id 连续:170A
电流, Idm 脉冲:680A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
热阻 Rth:0.45
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上海 0 新加坡 0 英国3124 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF2804LPBF - 场效应管 MOSFET N 40V D2-PAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:75A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):2.3ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:330W
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
功率, Pd:330W
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id @ 100摄氏度:200A
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:280A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:40V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:280A
电流, Idm 脉冲:1080A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th ??高:4V
热阻 Rth:0.45
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上海 0 新加坡 0 英国136 |
1 |
1 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL630STRLPBF - 场效应管 MOSFET N 200V D2-PAK |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):500ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
封装类型:D2-PAK
功率, Pd:74W
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id @ 100摄氏度:5.7A
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:9A
电压, Vds:200V
电流, Id 连续:9A
电流, Idm 脉冲:36A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2V
热阻 Rth:1.7
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7410TRPBF - 场效应管 MOSFET N 12V SO-8 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-16A
电压, Vds 最大:12V
开态电阻, Rds(on):0.007ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:-8V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
功率, Pd:2.5W
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds:12V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:16A
电流, Idm 脉冲:65A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.9V
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7210PBF - 场效应管 MOSFET N 14V SO-8 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-16A
电压, Vds 最大:14V
开态电阻, Rds(on):0.007ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:-600mV
功耗:2.5W
封装类型:SOIC
针脚数:8
功率, Pd:2.5W
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds:14V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:16A
电流, Idm 脉冲:100A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.6V
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无库存 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF4905STRLPBF - 场效应管 MOSFET N 55V D2-PAK |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-74A
电压, Vds 最大:55V
开态电阻, Rds(on):0.02ohm
电压 @ Rds测量:20V
电压, Vgs 最高:-4V
功耗:200W
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
功率, Pd:200W
封装类型:D2-PAK
封装类型, 替代:TO-262AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:55V
电压, Vds 典型值:55V
电流, Id 连续:74A
电流, Idm 脉冲:260A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
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上海50 新加坡15 英国 0 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF4905LPBF - 场效应管 MOSFET N 55V D2-PAK |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-74A
电压, Vds 最大:55V
开态电阻, Rds(on):0.02ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-4V
功耗:200W
封装类型:TO-262
针脚数:3
功率, Pd:200W
封装类型:TO-262
封装类型, 替代:TO-262AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:55V
电压, Vds 典型值:55V
电流, Id 连续:74A
电流, Idm 脉冲:260A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
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无库存 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7459TRPBF - 场效应管 MOSFET N 20V SO-8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:12A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):9ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
功率, Pd:2.5W
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:10A
漏极连续电流, Id @ 70摄氏度:8
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:20V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:10A
电流, Idm 脉冲:100A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2V
热阻 Rth:50
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上海 0 新加坡 0 英国225 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5802TRPBF - 场效应管 MOSFET N 150V TSOP-6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:900mA
电压, Vds 最大:150V
开态电阻, Rds(on):1.2ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:5.5V
功耗:2W
封装类型:TSOP
针脚数:6
功率, Pd:2W
封装类型:TSOP
应用代码:SMPS
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:0.9A
漏极连续电流, Id @ 70摄氏度:0.7
热阻, 结至外壳 A:62.5°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:150V
电压, Vds 典型值:150V
电流, Id 连续:0.9A
电流, Idm 脉冲:7A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0 新加坡 0 英国1634 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5801TRPBF - 场效应管 MOSFET N 200V TSOP-6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:600mA
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):2.2ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TSOP
功率, Pd:2W
封装类型:TSOP
应用代码:SMPS
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:0.6A
漏极连续电流, Id @ 70摄氏度:0.48
热阻, 结至外壳 A:62.5°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:200V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:0.6A
电流, Idm 脉冲:4.8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0 新加坡300 英国452 |
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1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7416TRPBF - 场效应管 MOSFET N 30V SO-8 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-10A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.02ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
SMD标号:F7416
功率, Pd:2.5W
外宽:4.05mm
外部深度:5.2mm
外部长度/高度:1.75mm
封装类型:SOIC
排距:6.3mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:30V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:10A
电流, Idm 脉冲:45A
表面安装器件:表面安装
针脚格式:1 S
2 S
3 S
4 G
5 D
6 D
7 D
8 D
针脚配置:b
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
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上海 0 新加坡3899 英国 0 |
1 |
10 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7240PBF - 场效应管 MOSFET N 40V SO-8 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-10.5A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.015ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:-3V
功耗:2.5W
封装类型:SOIC
针脚数:8
功率, Pd:2.5W
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:40V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:10.5A
电流, Idm 脉冲:43A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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无库存 |
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