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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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MULTICOMP - BZT55C18 - 齐纳二极管 500mW 18V |
电压, Vz:19.1V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:MiniMELF
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MiniMELF
测试电流:5mA
结温, Tj 最高:200°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡80 英国27306 |
1 |
10 |
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MULTICOMP - BZT55C16 - 齐纳二极管 500mW 16V |
电压, Vz:17.1V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:MiniMELF
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MiniMELF
测试电流:5mA
结温, Tj 最高:200°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡50 英国2240 |
1 |
10 |
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MULTICOMP - BZT55C15 - 齐纳二极管 500mW 15V |
电压, Vz:15.6V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:MiniMELF
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MiniMELF
测试电流:5mA
结温, Tj 最高:200°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国36623 |
1 |
10 |
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MULTICOMP - BZT55C13 - 齐纳二极管 500mW 13V |
电压, Vz:14.1V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:MiniMELF
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MiniMELF
测试电流:5mA
结温, Tj 最高:200°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国948 |
1 |
10 |
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MULTICOMP - BZT55C12 - 齐纳二极管 500mW 12V |
电压, Vz:12.7V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:MiniMELF
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MiniMELF
测试电流:5mA
结温, Tj 最高:200°C
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
10 |
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MULTICOMP - BZT55C11 - 齐纳二极管 500mW 11V |
电压, Vz:11.6V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:MiniMELF
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MiniMELF
测试电流:5mA
结温, Tj 最高:200°C
表面安装器件:表面安装
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上海200 新加坡 0 英国3214 |
1 |
10 |
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MULTICOMP - BZT55C10 - 齐纳二极管 500mW 10V |
电压, Vz:10.6V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:MiniMELF
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MiniMELF
测试电流:5mA
结温, Tj 最高:200°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国7820 |
1 |
10 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - 1N5251B-TAP - 齐纳二极管 Vz:22V |
齐纳二极管 Vz:22V
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美国 0 上海1891 美国30439 新加坡594 |
1 |
1 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - 1N4754A-TR - 齐纳二极管 Vz:39V |
齐纳二极管 Vz:39V
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美国 0 上海 0 美国7718 新加坡20 |
1 |
1 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - BZX85C39-TAP - 齐纳二极管 Vz:39V |
齐纳二极管 Vz:39V
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美国 0 上海 0 美国20535 新加坡 0 |
1 |
1 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - BZX85C36-TAP - 齐纳二极管 Vz:36V |
齐纳二极管 Vz:36V
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美国 0 上海 0 美国22691 新加坡 0 |
1 |
1 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - 1N5260B-TAP - 齐纳二极管 500mW 43V |
齐纳二极管 500mW 43V
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美国 0 上海 0 美国21242 新加坡1440 |
1 |
1 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - 1N5246B-TAP - 齐纳二极管 Vz:16V |
齐纳二极管 Vz:16V
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美国 0 上海 0 美国28981 新加坡144 |
1 |
1 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - 1N5241B-TAP - 齐纳二极管 |
齐纳二极管
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美国 0 上海 0 美国29799 新加坡 0 |
1 |
1 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - 1N5225B-TAP - 齐纳二极管 Vz:3V |
齐纳二极管 Vz:3V
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美国 0 上海 0 美国21979 新加坡67 |
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