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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PN3569.. - 双极性晶体管 NPN |
双极性晶体管 NPN
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美国 0
上海 0
美国7787
新加坡55 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N5457 - 射频晶体管 JFET N通道 |
射频晶体管 JFET N通道
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N3393 - 射频双极性晶体管 NPN |
射频双极性晶体管 NPN
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??国 0
上海 0
美国 0
新加坡5 |
1 |
1 |
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NXP - BFT92W - 晶体管 PNP 4GHZ SOT323 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:15V
截止频率 ft, 典型值:4GHz
封装类型:SOT-323
晶体管类型:RF
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
针脚配置:B(1),E(2),C(3)
hFE, 典型值:50
hFE, 最小:20
封装类型:SOT-323
电压, Vcbo:20V
电流, Ic hFE:15mA
电流, Ic 最大:35mA
直流电流增益 hfe, 典型值:50
直流电流增益 hfe, 最小值:20
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无库存 |
1 |
1 |
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NXP - BFT92 - 晶体管 PNP 5GHZ SOT23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:15V
截止频率 ft, 典型值:9GHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:-25mA
直流电流增益 hFE:50
噪声:2.5dB
封装类型:SOT-23
晶体管类型:RF Bipolar
测试频率:500MHz
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:表面安装
针脚配置:B(1),E(2),C(3)
集电极连续电流:-25mA
hFE, 典型值:50
hFE, 最小:20
封装类型:SOT-23
电压, Vcbo:20V
电流, Ic hFE:14mA
电流, Ic 最大:25mA
直流电流增益 hfe, 典型值:50
直流电流增益 hfe, 最小值:20
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上海 0
新加坡 0
英国1573 |
1 |
1 |
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NXP - BFS540 - 晶体管 NPN 9GHZ SOT323 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:15V
截止频率 ft, 典型值:9GHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:120mA
直流电流增益 hFE:120
功率, 1dB增益压缩 (P1dB):21dBm
噪声:1.9dB
封装类型:SOT-323
晶体管类型:RF Bipolar
测试频率:900MHz
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:表面安装
针脚配置:B(1),E(2),C(3)
集电极连续电流:120mA
hFE, 典型值:120
hFE, 最大:250
hFE, 最小:100
封装类型:SOT-323
电压, Vcbo:20V
电流, Ic hFE:40mA
电流, Ic 最大:120mA
直流电流增益 hfe, 典型值:120
直流电流增益 hfe, 最大值:250
直流电流增益 hfe, 最小值:100
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上海 0
新加坡 0
英国1372 |
1 |
10 |
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ON SEMICONDUCTOR - MPSH17G - 射频双极性晶体管 |
射频双极性晶体管
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBTA92LT1G - 射频双极性晶体管 |
射频双极性晶体管
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美国 0
上海6350
美国 0
新加坡 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - DTC144EET1G. - 小信号预偏晶体管 |
小信号预偏晶体管
NPN
Vceo:50V
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - DTC143TET1G - 小信号预偏晶体管 |
小信号预偏晶体管
NPN
Vceo:50V
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMUN2132LT1G - 小信号预偏晶体管 |
小信号预偏晶体管
PNP
Vceo:50V
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无库存 |
1 |
3000 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJE4343G - 射频双极晶体管 |
射频双极晶体管
NPN
125W
TO-218
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - BC847BWT1G - 双极晶体管 |
双极晶体管
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - BFP193W - 晶体管 NPN RF SOT-343 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:12V
截止频率 ft, 典型值:8GHz
功耗, Pd:580mW
集电极直流电流:80mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
关联增益 Ga:20.5dB
噪声:1dB
封装类型:SOT-343
晶体管数:1
晶体管类型:RF小信号
最小增益带宽 ft:6000MHz
测试频率:900MHz
表面安装器件:表面安装
集电极连续电流:80mA
SMD标号:RCs
噪声级, Fc @ Ic:2.1dB
增益 Gms:13dB
封装类型:SOT-343
总功率, Ptot:580mW
最大连续电流, Ic:0.05A
电压, Vcbo:20V
电流, Ic @ Gms:30mA
电流, Ic @ fc测量:10mA
电流, Ic hFE:30mA
电流, Ic 最大:0.05A
直流电流增益 hfe, 最小值:50
集电极电流, Ic 平均值:80mA
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无库存 |
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1 |
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INFINEON - BFG235 - 晶体管 NPN RF SOT-223 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:15V
截止频率 ft, 典型值:5.5GHz
功耗, Pd:2W
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
关联增益 Ga:12.5dB
噪声:1.7dB
封装类型:SOT-223
晶体管数:1
晶体管类型:功率RF
最小增益带宽 ft:4000MHz
测试频率:900MHz
表面安装器件:表面安装
重量:3g
集电极连续电流:300mA
SMD标号:BFG235
噪声级, Fc @ Ic:2.7dB
增益 Gms:12dB
封装类型:SOT-223
总功率, Ptot:2000mW
最大连续电流, Ic:0.2A
电压, Vcbo:25V
电流, Ic @ Gms:200mA
电流, Ic @ fc测量:60mA
电流, Ic hFE:200mA
电流, Ic 最大:0.2A
直流电流增益 hfe, 最小值:50
集电极电流, Ic 平均值:300mA
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停产 |
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