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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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MAGNATEC - BFY52 - 晶体管NPN TO-5 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:60MHz
功耗, Pd:0.8W
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:60
封装类型:TO-5
功耗:0.8W
封装类型:TO-5
总功率, Ptot:800mW
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:1A
最小增益带宽 ft:50MHz
电压, Vcbo:40V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:60
表面安装器件:通孔安装
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上海 0 新加坡 0 英国966 |
1 |
5 |
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MAGNATEC - BC461 - 晶体管 PNP TO-39 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:40
封装类型:TO-39
功耗:1W
封装类型:TO-39
总功率, Ptot:1W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:2A
电压, Vcbo:70V
电流, Ic @ Vce饱和:1000mA
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 新加坡22 英国1553 |
1 |
5 |
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MAGNATEC - BC441 - 晶体管NPN TO-39 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:115
封装类型:TO-39
针脚数:3
功耗:1W
封装类型:TO-39
总功率, Ptot:1W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:2A
最小增益带宽 ft:50MHz
电流, Ic @ Vce饱和:1000mA
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 新加坡19 英国1224 |
1 |
5 |
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MAGNATEC - BC238 - 晶体管 NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:120MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:120
工作温??范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
功耗:350mW
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:300mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:0.1A
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:30V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:f
饱和电压, Vce sat 最大:0.2V
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上海 0 新加坡 0 英国3231 |
1 |
5 |
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SEMELAB - BC179 - 晶体管 PNP TO-18 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:-100mA
直流电流增益 hFE:240
封装类型:TO-18
针脚数:3
功耗:0.3W
噪声因子(NF), 最大:4dB
封装类型:TO-18
总功率, Ptot:300mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:0.1A
最小增益带宽 ft:100MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:25V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:240
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:a
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
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上海 0 新加坡20 英国454 |
1 |
5 |
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SEMELAB - BC178 - 晶体管PNP TO-18 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:25V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:0.3W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:240
工作温度范围:-65°C to +175°C
封装类型:TO-18
针脚数:3
功耗:0.3W
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:TO-18
总功率, Ptot:300mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:0.1A
最小增益带宽 ft:100MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:30V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:a
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
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上海 0 新加坡55 英国707 |
1 |
5 |
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SEMELAB - BD956 - 晶体管PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:40W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:40
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:40W
器件标记:BD956
封装类型:TO-220
封装类型, 替代:SOT-78B
应用代码:GP
总功率, Ptot:40W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:2A
最小增益带宽 ft:3MHz
满功率温度:25°C
电压 Vceo 最高:120V
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:5A
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 新加坡 0 英国503 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BD955 - 晶体管NPN TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:40W
集电极直流电流:5A
直流电流增益 hFE:40
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:40W
器件标记:BD955
封装类型:TO-220
封装类型, 替代:SOT-78B
应用代码:GP
总功率, Ptot:40W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:5A
最小增益带宽 ft:3MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:5A
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BD948 - 晶体管 PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:40W
集电极直流电流:3A
直流电流增益 hFE:85
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:40W
封装类型:TO-220
封装类型, 替代:SOT-78B
应用代码:GP
总功率, Ptot:40W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:3A
最小增益带宽 ft:3MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.7V
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上海 0 新加坡 0 英国428 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDV64C - 晶体管达林顿 SOT-93 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:0.1MHz
功耗, Pd:125W
集电极直流电流:12A
直流电流增益 hFE:1500
封装类型:SOT-93
针脚数:3
功耗:125W
器件标记:BDV64C
封装类型:SOT-93
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:12A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:12A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0 新加坡50 英国42 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDV64A - 达林顿晶体管 SOT-93 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:0.1MHz
功耗, Pd:125W
集电极直流电流:-12A
直流电流增益 hFE:1500
封装类型:SOT-93
针脚数:3
功耗:125W
封装类型:SOT-93
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:12A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:12A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0 新加坡 0 英国193 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDT95 - 晶体管NPN TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:90W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:20
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:90W
器件标记:BDT95
封装类型:TO-220
封装类型, 替代:SOT-78B
应用代码:GP
总功率, Ptot:90W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:10A
最小增益带宽 ft:4MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:4A
电流, Ic 最大:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:10A
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 新加坡 0 英国29 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDT65C - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:120V
功耗, Pd:125W
集电极直流电流:12A
直流电流增益 hFE:1500
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:125W
器件标记:BDT65C
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:12A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:12A
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上海 0 新加坡 0 英国1089 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDT65A - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
功耗, Pd:125W
集电极直流电流:12A
直流电流增益 hFE:1500
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:125W
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:12A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:12A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDT64C - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:120V
功耗, Pd:125W
集电极直流电流:12A
直流电流增益 hFE:1500
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:125W
器件标记:BDT64C
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:12A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:12A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0 新加坡 0 英国578 |
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