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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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NXP - PVR100AZ-B3V0 - 晶体管 NPN 齐纳 SOT-223 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-223 (TO-261)
功耗:0.55W
封装类型:SOT-223 (TO-261)
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国500 |
1 |
5 |
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NXP - PVR100AZ-B2V5 - 晶体管 NPN 齐纳 SOT-223 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-223 (TO-261)
功耗:0.55W
封装类型:SOT-223 (TO-261)
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国500 |
1 |
5 |
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NXP - PVR100AZ-B12V - 晶体管 NPN 齐纳 SOT-223 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-223 (TO-261)
功耗:0.55W
封装类型:SOT-223 (TO-261)
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国450 |
1 |
5 |
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NXP - PVR100AD-B5V0 - 晶体管 NPN 齐纳 SOT-666 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-666
功耗:300mW
封装类型:SOT-666
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
5 |
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NXP - PVR100AD-B3V3 - 晶体管 NPN 齐纳 SOT-666 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-666
功耗:300mW
封装类型:SOT-666
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国485 |
1 |
5 |
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NXP - PVR100AD-B3V0 - 晶体管 NPN 齐纳 SOT-666 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-666
功耗:300mW
封装类型:SOT-666
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国485 |
1 |
5 |
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NXP - PVR100AD-B2V5 - 晶体管 NPN 齐纳 SOT-666 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-666
功耗:300mW
封装类型:SOT-666
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国470 |
1 |
5 |
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NXP - PVR100AD-B12V - 晶体管 NPN 齐纳 SOT-666 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-666
功耗:300mW
封装类型:SOT-666
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡 0 英国435 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - KSE44H11TU - 晶体管 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:1.67W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:60
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.67W
封装类型:TO-220
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:60
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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无库存 |
1 |
1000 |
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ON SEMICONDUCTOR - NJT4030PT1G - 晶体管 PNP |
晶体管 PNP
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美国 0 上海 0 美国182 新加坡500 |
1 |
1 |
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NTE ELECTRONICS - NTE316 - 双极性晶体管 |
双极性晶体管
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美国 0 上海 0 美国84 新加坡 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - D44C8.. - 双极性晶体管 NPN HFE 40 |
双极性晶体管 NPN HFE 40
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美国 0 上海 0 美国461 新加坡 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - TIP102TU - 达林顿双极性晶体管 |
达林顿双极性晶体管
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美国 0 上海 0 美国960 新加坡 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBT3646 - 小信号双极性晶体管 |
小信号双极性晶体管
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC558 - 晶体管 PNP |
晶体管 PNP
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美国 0 上海 0 美国4309 新加坡36 |
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