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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - KSH127 - 晶体管PNP D-PAK |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
功耗, Pd:20W
集电极直流电流:-8A
直流电流???益 hFE:1000
封装类型:D-PAK
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:20W
封装类型:D-PAK
总功率, Ptot:20W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:-8A
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:8A
电流, Ic 最大:8A
电流, Icbo:10000nA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:4V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国1507 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - KSH122 - 晶体管NPN D-PAK |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
功耗, Pd:20W
集电极直流电流:8A
直流电流??益 hFE:1000
封装类型:D-PAK
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:20W
封装类型:D-PAK
总功率, Ptot:20W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:8A
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:8A
电流, Ic 最大:8A
电流, Icbo:10000nA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:4V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海145 新加坡95 英国2195 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BDW94CFP - 达林顿晶体管 PNP TO-220FP |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
功耗, Pd:33W
集电极直流电流:-12A
直流电??增益 hFE:1000
封装类型:TO-220FP
针脚数:3
功耗:33W
封装类型:TO-220FP
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:12A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:3V
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上海 0 新加坡 0 英国348 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BD912 - 晶体管PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:90W
集电极直流电流:15A
直流??流增益 hFE:40
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:90W
器件标记:BD912
封装类型:TO-220
应用代码:GP
总功率, Ptot:90W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:15A
最小增益带宽 ft:3MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic @ Vce饱和:5A
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最大值:250
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海100 新加坡935 英国729 |
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1 |
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STMICROELECTRONICS - BD910 - 晶体管PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:90W
集电极直流电流:-10A
直流??流增益 hFE:40
封装类型:TO-220
功耗:90W
封装类型:TO-220
应用代码:GP
总功率, Ptot:90W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:-10A
最小增益带宽 ft:3MHz
电压, Vcbo:80V
电流, Ic @ Vce饱和:5A
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最大值:250
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 新加坡20 英国269 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BD708 - 晶体管PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:75W
集电极直流电流:-12A
直流??流增益 hFE:120
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:75W
封装类型:TO-220
应用代码:GP
总功率, Ptot:75W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:-4A
最小增益带宽 ft:3MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic @ Vce饱和:4A
电流, Ic hFE:10A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 典型值:10
直流电流增益 hfe, 最小值:5
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 新加坡48 英国761 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BD538 - 晶体管PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
封装类型:TO-220 (SOT-78B)
封装类型:TO-220 (SOT-78B)
应用代码:GP
总功率, Ptot:50W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最小增益带宽 ft:3MHz
电压, Vcbo:80V
电流, Ic @ Vce饱和:2A
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:15
饱和电压, Vce sat 最大:0.8V
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停产 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BD534 - 晶体管PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
功耗, Pd:50W
集电极直流电流:-6A
直流电流增益 hFE:40
封装类型:TO-220
功耗:50W
封装类型:TO-220
应用代码:GP
总功率, Ptot:50W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:-6A
最小增益带宽 ft:3MHz
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:25
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.8V
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上海 0 新加坡 0 英国36 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - 2N6490 - 晶体管PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
封装类??:TO-220 (SOT-78B)
封装类型:TO-220 (SOT-78B)
应用代码:GP
总功率, Ptot:75W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
电压, Vcbo:70V
电流, Ic @ Vce饱和:5A
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最大值:150
直流电流增益 hfe, 最小值:20
饱和电压, Vce sat 最大:1.3V
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停产 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BD536 - 晶体管PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
功耗, Pd:50W
集电极直流电流:-6A
直流电流增益 hFE:40
封装类型:TO-220
功耗:50W
封装类型:TO-220
应用代码:GP
总功率, Ptot:50W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:-6A
最小增益带宽 ft:3MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic @ Vce饱和:2A
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:25
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.8V
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上海 0 新加坡 0 英国453 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BD140-16 - 晶体管 PNP SOT-32 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
功耗, Pd:1.25W
集电极直流电流:1.5A
直流电流增益 hFE:40
封装类型:SOT-32
针脚数:3
功耗:1.25W
封装类型:SOT-32
总功率, Ptot:1.25W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:1.5A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:0.15A
电流, Ic 最大:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.5V
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上海35 新加坡8 英国 0 |
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1 |
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STMICROELECTRONICS - BD140-10 - 晶体管 PNP SOT-32 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
功耗, Pd:1.25W
集电极直流电流:1.5A
直流电流增益 hFE:40
封装类型:SOT-32
针脚数:3
功耗:1.25W
封装类型:SOT-32
总功率, Ptot:1.25W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:1.5A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:0.15A
电流, Ic 最大:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:63
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.5V
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上海 0 新加坡20 英国117 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BD136-16 - 晶体管 PNP SOT-32 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
功耗, Pd:1.25W
集电极直流电流:1.5A
直流电流增益 hFE:40
封装类型:SOT-32
针脚数:3
功耗:1.25W
封装类型:SOT-32
总功率, Ptot:1.25W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:1.5A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:0.15A
电流, Ic 最大:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.5V
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上海 0 新加坡1 英国6221 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - TIP105 - 达林顿晶体管 PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:8A
直流电流增益 hFE:20000
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:2W
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:80W
晶体管数:1
晶体管类型:小信号达林顿
最大连续电流, Ic:8A
满功率温度:25°C
电流, Ic hFE:8A
电流, Ic 最大:15mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:8A
饱和电压, Vce sat 最大:-2V
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上海 0 新加坡26 英国7 |
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STMICROELECTRONICS - STF817A - 晶体管 PNP 80V 1.5A SOT-89 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:1.4W
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:140
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
针脚数:3
功耗:1.4W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:1.4W
晶体管数:1
晶体管类型:中等功率晶体管
最大连续电流, Ic:1500mA
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:1000mA
电流, Ic 最大:1500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:140
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-0.25V
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上海50 新加坡 0 英国2414 |
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