| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
 |
NXP - BC857B - 晶体管PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:-100mA
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:3F
功耗:250mW
器件标记:BC857B
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:200mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-300mV
|
无库存 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC857A - 晶体管PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:125
工作温度范围:-65°C to +150??C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:3E
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-300mV
|
上海70 新加坡 0 英国16120 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC857 - 晶体管PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:125
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:3H
功耗:250mW
器件标记:BC857
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-300mV
|
上海3840 新加坡1999 英国25137 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC856B - 晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:65V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:220
工作??度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:3B
功率 Ptot (每器件):250mW
功耗:250mW
器件标记:BC856B
封装类型:通用小信号
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-300mV
|
上海90 新加坡1374 英国 0 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC856 - 晶体管PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:65V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:125
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:3D
功耗:250mW
器件标记:BC856
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-300mV
|
上海2812 新加坡590 英国15489 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC850C - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:520
工作温度范围:-65°C to +150??C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:2G
功耗:250mW
器件标记:BC850C
噪声因子(NF), 最大:3dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:420
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
|
上海227 新加坡11880 英国3336 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC850B - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:290
工作温度范围:-65°C to +150??C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:2F
功耗:250mW
器件标记:BC850B
噪声因子(NF), 最大:4dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
|
上海740 新加坡6880 英国13832 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC849C - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:520
工作温度范围:-65°C to +150??C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:2C
功耗:250mW
器件标记:BC849C
噪声因子(NF), 最大:4dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:30V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:420
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
|
上海 0 新加坡1170 英国57665 |
1 |
5 |
 |
 |
NXP - BC847CW - 晶体管NPN SOT-323 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:520
工作温度??围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-323
SMD标号:1G
功耗:250mW
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-323
总功率, Ptot:200mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:0.1A
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:420
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
|
上海 0 新加坡2854 英国 0 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC847C - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:520
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:1G
功耗:250mW
器件标记:BC847C
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用开关
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:420
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
|
上海1960 新加坡1899 英国 0 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC847B - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:290
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:1F
功耗:250mW
器件标记:BC847B
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:200mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用开关
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
|
上海20 新加坡3249 英国 0 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC847A - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:180
工作温度范围:-65°C to +150??C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:1E
功耗:250mW
器件标记:BC847A
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:110
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
|
上海3060 新加坡977 英国3790 |
1 |
10 |
 |
 |
NXP - BC327-40 - 晶体管PNP TO-92 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:80MHz
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-54
SMD标号:C32740
功耗:625mW
封装类型:SOT-54
总功率, Ptot:625mW
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:-500mA
最小增益带宽 ft:80MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:1A
直流电流增益 hfe, 最大值:600
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:-700mV
|
停产 |
1 |
5 |
 |
 |
INFINEON - SMBT3906 - 晶体管PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:330mW
集电极直流电流:0.2A
直流电流增益 hFE:100
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:2A
功耗:330mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:330mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:0.2A
最小增益带宽 ft:250MHz
电压, Vcbo:40V
电流, Ic @ Vce饱和:50mA
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:0.2A
电流, Icm 脉冲:200mA
直流电流增益 hfe, 最大值:300
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
|
上海10 新加坡50 英国 0 |
1 |
10 |
 |
 |
INFINEON - SMBT3904 - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:270MHz
功耗, Pd:330mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:100
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:1A
功耗:330mW
噪声因子(NF), 典型值:5dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:330mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:0.2A
最小增益带宽 ft:300MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic @ Vce饱和:50mA
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:0.2A
电流, Icm 脉冲:200mA
直流电流增益 hfe, 最大值:300
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
|
上海3000 新加坡152 英国9139 |
1 |
10 |
 |
| 共 105 页 | 第 91 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |