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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC212B - 晶体管 PNP TO-92 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:60
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功耗:350mW
器件标记:BC212B
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:625mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:200MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:f
饱和电压, Vce sat 最大:0.6V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡1625 英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC212 - 晶体管 PNP TO-92 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:60
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功耗:625mW
器件标记:BC212
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:625mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:200MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:60
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:f
饱和电压, Vce sat 最大:0.6V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC184L - 晶体管NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:130
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
器件标记:BC184L
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:625mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:240
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:f
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海515 新加坡40 英国23046 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC184C - 晶体管NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:280MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:800
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
器件标记:BC184C
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:625mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:450
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:f
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡1362 英国2345 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC183LC - 晶体管NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:80
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
器件标记:BC183LC
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:625mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:450
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:a
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡880 英国4775 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC183C - 晶体管NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
器件标记:BC183C
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:625mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:450
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:f
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡2805 英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC183 - 晶体管NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:240MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:80
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
器件标记:BC183
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:625mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:f
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海90 新加坡65 英国4268 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC182LB - 晶体管NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:80
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
器件标记:BC182LB
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:625mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:240
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:a
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
SVHC(高度关注物质)(附??):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡900 英国24196 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC182L - 晶体管NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:80
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
器件标记:BC182L
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:625mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:f
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海50 新加坡143 英国14025 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC182B - 晶体管NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:0.2A
直流电流增益 hFE:80
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
器件标记:BC182B
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:625mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:0.2A
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:0.2A
直流电流增益 hfe, 最小值:240
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:f
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海1090 新加坡327 英国 0 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BDX54B - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
功耗, Pd:60W
集电极直流电流:8A
直流电流增益 hFE:750
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:60W
器件标记:BDX54B
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:60W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:8A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:3A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:750
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:8A
饱和电压, Vce sat 最大:-2V
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上海 0 新加坡35 英国1115 |
1 |
5 |
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STMICROELECTRONICS - BDX53B - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
功耗, Pd:60W
集电极直流电流:8A
直流电流增益 hFE:750
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:60W
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:60W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:8A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:3A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:750
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:8A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0 新加坡200 英国154 |
1 |
5 |
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STMICROELECTRONICS - BDX34C - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
功耗, Pd:70W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:750
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:70W
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:70W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:10A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:4A
电流, Ic 最大:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:750
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:10A
饱和电压, Vce sat 最大:-2.5V
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上海 0 新加坡36 英国1929 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BDW93C - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
功耗, Pd:80W
集电极直流电流:12A
直流电流增益 hFE:20000
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:80W
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:80W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:12A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:750
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:12A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0 新加坡 0 英国651 |
1 |
5 |
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STMICROELECTRONICS - BD438 - 晶体管PNP TO-126 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:36W
集电极直流电流:4A
直流电流增益 hFE:140
封装类型:TO-126
针脚数:3
功耗:36W
封装类型:TO-126
总功率, Ptot:36W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:4A
最小增益带宽 ft:3MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:4A
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:-0.6V
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上海 0 新加坡53 英国883 |
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5 |
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