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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2110 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
输入电压:5.5V
电流极限:600mA
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOT-23
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输出电流 最大:600mA
关电电流:400mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P沟道
晶体管类???:MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2109 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:300mA
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输出电流 最大:300mA
关电电流:200mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P沟道
晶体管类型:MOSFET
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上海 0
新加坡60
英国2746 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2108 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
输入电压:5.5V
电流极限:400mA
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
开/使能输入极性:低有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:否
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输出电流 最大:600mA
关电电流:400mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P沟道
晶体管类???:MOSFET
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上海 0
新加坡58
英国452 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2107 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
功耗:0.667W
封装类型:SOT-23
针脚数:5
封装类型:SOT-23
表面安装器件:表面安装
关电电流:600mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P
晶体管类型:MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2106 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:600mA
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输出电流 最大:600mA
关电电流:600mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P沟道
晶体管类型:MOSFET
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上海 0
新加坡69
英国3000 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2105 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:600mA
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
热保护:是
开/使能输入极性:低有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输出电流 最大:600mA
关电电流:600mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P沟道
晶体管类型:MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2104 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:600mA
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输出电流 最大:600mA
关电电流:600mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P沟道
晶体管类型:MOSFET
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上海 0
美国 0
新加坡70
英国1013 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2103 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:300mA
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输出电流 最大:300mA
关电电流:300mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P沟道
晶体管类型:MOSFET
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上海 0
新加坡70
英国975 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2102 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:300mA
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOT-23
表面安装器件:表面安装
关电电流:300mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P沟道
晶体管类型:MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2101 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:300mA
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
热保护:是
开/使能输入极性:低有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOT-23
表面安装器件:表面安装
关电电流:300mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P沟道
晶体管类型:MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2100 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:300mA
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输出电流 最大:300mA
关电电流:300mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P沟道
晶体管类型:MOSFET
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上海 0
新加坡60
英国1025 |
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