| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA116PAG4 - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:1
输入偏移电压:5mV
最大增益:1000
带宽:0.8MHz
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):94dB
摆率:0.08V/μs
电源电压范围:± 4.5V to ± 18V
电源电流:1mA
封装类型:DIP
针脚数:16
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:800kHz
变化斜率:0.8
可编程增益 最高:1000
器件标号:116
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
最小可编程增益:1
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:116
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:10mV
输入偏移量, 最大:5μV/°C
输出类型:Single Ended
运放特点:FET输入
逻辑功能号:116
额定电源电压, +:15V
|
上海6
新加坡60
英国128 |
1 |
1 |
  |
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA122PA - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:1
输入偏移电压:500μV
最大增益:10000
带宽:120kHz
放大器输出:Rail to Rail
共模抑制比 (CMRR):90dB
摆率:0.008V/μs
电源电流:60μA
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-55°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:120kHz
变化斜率:0.16
可编程增益 最高:10000
器件标号:122
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:2.2V
芯片标号:122
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:500μV
输入偏移量, 最大:3μV/°C
输出类型:Single Ended
运放特点:单电源供电
逻辑功能号:122
额定电源电压, +:15V
|
上海8
新加坡273
英国418 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA217AIP - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:3
输入偏移电压:250μV
最小增益:1dB
最大增益:10000
带宽:3.4MHz
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):116dB
摆率:15V/μs
电源电压范围:± 4.5V to ± 18V
电源电流:10mA
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:PDIP
-3dB带宽增益乘积:3.4MHz
变化斜率:15V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:217
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:217
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:250μV
输入偏移量, 最大:1μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
上海61
美国 0
新加坡330
英国319 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA2128U - 芯片 双仪器放大器 |
放大器数目:2
输入偏移电压:50μV
最小增益:1dB
最大增益:10000
带宽:1.3MHz
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):130dB
摆率:4V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:1.4mA
封装类型:SOIC
针脚数:16
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:1.3MHz
变化斜率:4V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:2128
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:2.25V
芯片标号:2128
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:36V
|
上海5
新加坡12
英国30 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA141U - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:3
输入偏移电压:100μV
最大增益:100
带宽:200kHz
放大器输出:单端
共??抑制比 (CMRR):125dB
摆率:4V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:750μA
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:1MHz
变化斜率:4V/μs
可编程增益 最高:100
器件标号:141
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:125°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:2.25V
芯片标号:141
表面安装器件:表面安装
???入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
上海2
美国 0
新加坡20
英国20 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA129U - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:3
输入偏移电压:50μV
最大增益:10000
带宽:1.3MHz
放大器输出:单端
共???抑制比 (CMRR):130dB
摆率:4V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:700μA
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:1.3MHz
变化斜率:4V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:129
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:125°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:2.25V
芯片标号:129
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
上海8
新加坡353
英国 0 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA129P - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:3
输入偏移电压:50μV
最大增益:10000
带宽:1.3MHz
放大器输出:单端
共???抑制比 (CMRR):130dB
摆率:4V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:700μA
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:PDIP
-3dB带宽增益乘积:1.3MHz
变化斜率:4V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:129
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:125°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:2.25V
芯片标号:129
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
上海 0
新加坡4
英国88 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA128U - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:3
输入偏移电压:50μV
最大增益:10000
带宽:1.3MHz
放大器输出:单端
共???抑制比 (CMRR):130dB
摆率:4V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:700μA
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:1.3MHz
变化斜率:4V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:128
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:2.25V
芯片标号:128
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
上海120
美国 0
新加坡217
英国 0 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA128PA - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:3
输入偏移电压:125μV
最大增益:10000
带宽:1.3MHz
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):130dB
摆率:4V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:700μA
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:PDIP
-3dB带宽增益乘积:1.3MHz
变化斜率:4V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:128
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:2.25V
芯片标号:128
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
上海 0
新加坡245
英国550 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA128P - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:3
输入偏移电压:50μV
最大增益:10000
带宽:1.3MHz
放大器输出:单端
共???抑制比 (CMRR):130dB
摆率:4V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:700μA
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:PDIP
-3dB带宽增益乘积:1.3MHz
变化斜率:4V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:128
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:2.25V
芯片标号:128
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
上海 0
新加坡679
英国339 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA126U - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:1
输入偏移电压:250μV
最大增益:10000
带宽:200kHz
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):94dB
摆率:0.04V/μs
电源电压范围:± 1.35V to ± 18V
电源电流:175μA
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:200MHz
变化斜率:0.4V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:126
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:1.35V
芯片标号:126
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:250μV
输入偏移量, 最大:3μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
上海 0
美国 0
新加坡453
英国528 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA126EA - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:1
输入偏移电压:500μV
最小增益:5dB
最大增益:10000
带宽:200kHz
共模抑制比 (CMRR):90dB
摆率:0.4V/μs
电源电压范围:± 1.35V to ± 18V
电源电流:175μA
封装类型:MSOP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:VSSOP
-3dB带宽增益乘积:200kHz
变化斜率:0.4V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:126
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:1.35V
芯片标号:126
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:250μV
输入偏移量, 最大:3μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA122U - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:1
输入偏移电压:250μV
最大增益:10000
带宽:120kHz
放大器输出:Rail to Rail
共模抑制比 (CMRR):96dB
摆率:0.008V/μs
电源电流:85μA
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:120kHz
变化斜率:0.08V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:122
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:2.2V
芯片标号:122
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:250μV
输入偏移量, 最大:3μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:5V
|
上海10
新加坡165
英国327 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA121U - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:1
输入偏移电压:500μV
最大增益:10000
带宽:600kHz
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):106dB
摆率:0.07V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:450μA
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:600kHz
变化斜率:0.7V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:121
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:2.25V
芯片标号:121
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:500μV
输入偏移量, 最大:2μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
上海5
新加坡152
英国140 |
1 |
1 |
|
 |
TEXAS INSTRUMENTS - INA118UB - 芯片 仪器放大器 |
放大器数目:1
输入偏移电压:125μV
最大增益:10000
带宽:800kHz
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):125dB
摆率:0.09V/μs
电源电压范围:± 1.35V to ± 18V
电源电流:350μA
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:800kHz
变化斜率:0.9V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:118
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:1.35V
芯片标号:118
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:15V
|
上海3
新加坡341
英国39 |
1 |
1 |
|
| 共 10 页 | 第 8 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
简体中文