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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM6134BIM/NOPB - 芯片 运算放大器 高速 四路 11MHz 14SOIC |
运放类型:低功率
放大器数目:4
摆率:14V/μs
电源电压范围:2.7V to 24V
封装类型:SOIC
针脚数:14
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:7.4MHz
变化斜率:12V/μs
器件标号:6134
增益带宽:10MHz
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:24V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
输入/输出类型:Rail-Rail I/O
输入偏移电压 最大:6mV
额定电源电压, +:35V
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无库存 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMV321M5/NOPB - 芯片 运算放大器 单路 1MHz SOT23 |
运放类型:通用
放大器数目:1
摆率:1V/μs
电源电压范围:2.7V to 5.5V
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
-3dB带宽增益乘积:1MHz
变化斜率:1V/μs
器件标号:321
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.7V
电源电流:130μA
电源电流 最大:250μA
表面安装器件:表面安装
输入/输出类型:Rail-Rail Outputs
输入偏移电压 最大:7mV
额定电源电压, +:5.5V
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上海300
美国 0
新加坡102
英国1372 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMH6702MF/NOPB - 芯片 运算放大器 单路 1.7GHz SOT23 |
运放类型:低失真
放大器数目:1
带宽:1.7GHz
摆率:3100V/μs
电源电压范围:± 5V to ± 6V
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
-3dB带宽增益乘积:1700MHz
变化斜率:3100V/μs
器件标号:6702
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:6V
电源电压 最小:5V
电源电流:12.5mA
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:13.4ns
输入偏移电压 最大:4.5mV
输出电流 + 最大:80mA
额定电源???压, +:6.75V
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国429 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMC6044AIN/NOPB - 芯片 运算放大器 四路 CMOS 100MHz 14DIP |
运放类型:低功率
放大器数目:4
摆率:0.02V/μs
针脚数:14
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:0.1MHz
变化斜率:0.015V/μs
器件标号:6044
增益带宽:100kHz
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:15.5V
电源电压 最小:4.5V
电源电流 最大:94μA
输入/输出类型:Rail-Rail Outputs
输入偏移电压 最大:3mV
额定电源电压, +:16V
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停产 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMC6034IM/NOPB - 芯片 运算放大器 四路 CMOS 1.4MHz 14SOIC |
运放类型:低输入偏置
放大器数目:4
摆率:1.1V/μs
电源电压范围:5V to 15V
封装类型:SOIC
针脚数:14
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:1.4MHz
变化斜率:0.8V/μs
器件标号:6034
增益带宽:1.4MHz
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:15.5V
电源电压 最小:4.75V
电源电流:2.7mA
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:9mV
额定电源电压, +:16V
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上海10
新加坡33
英国862 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LF444CM/NOPB - 芯片 运算放大器 单路 JFET 1MHz 14SOIC |
运放类型:低功率
放大器数目:4
摆率:1V/μs
电源电压范围:6V to 36V
封装类型:SOIC
针脚数:14
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:1MHz
变化斜率:1V/μs
器件标号:444
增益带宽:1MHz
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
最大增益:50000
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:6V
电源电流:800μA
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:10mV
额定电源电压, +:18V
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上海100
美国 0
新加坡64
英国460 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - TL082CM/NOPB - 芯片 运算放大器 单路 JFET 1MHz 8SOIC |
运放类型:高速
放大器数目:2
摆率:13V/μs
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:NSOIC
-3dB带宽增益乘积:4MHz
变化斜率:13V/μs
器件标号:82
增益带宽:4MHz
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:10V
电源电流:3.6mA
电源电流 最大:5.6mA
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:2μs
输入偏移电压 最大:15mV
额定电源电压, +:18V
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上海 0
美国 0
新加坡100
英国97 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM6181IN/NOPB - 芯片 电流反馈放大器 100MHz 8DIP |
运放类型:电流反馈
放大器数目:1
摆率:1400V/μs
电源电压范围:7V to 32V
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MDIP
-3dB带宽增益乘积:100MHz
变化斜率:1400V/microsec
器件标号:6181
增益带宽:100MHz
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大增益:2
电源电压 最大:32V
电源电压 最小:7V
电源电流:6.5mA
电源电流 最大:10mA
趋稳时间:50ns
输入偏移电压 最大:3.0mV
额定电源电压, +:15V
共模电压, VCM:1.7V
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上海 0
新加坡20
英国 0 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM10CN/NOPB - 芯片 运算放大器 单路 带电压基准 8DIP |
运放类型:通用
放大器数目:2
摆率:0.2V/μs
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIL
-3dB带宽增益乘积:0.4MHz
变化斜率:0.2V/μs
器件标号:10
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
电源电压 最大:40V
电源电压 最小:1.1V
电源电流:270μA
输入偏移电压 最大:4.0mV
输出电流 + 最大:20mA
额定电源电压, +:40V
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上海 0
新加坡18
英国16 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM7171BIN/NOPB - 芯片 运算放大器 高速 200MHz 8DIP |
运放类型:高速
放大器数目:1
带宽:125MHz
摆率:4100V/μs
电源电压范围:5.5V to 36V
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MDIP
-3dB带宽增益乘积:220MHz
变化斜率:4100V/μs
器件标号:7171
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
电源电流:6.5mA
输入偏移电压 最大:3.5mV
输出电流 + 最大:100mA
额定电源电压, +:36V
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上海 0
新加坡187
英国128 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM6171BIN/NOPB - 芯片 运算放大器 高速 160MHz 8DIP |
运放类型:高速
放大器数目:1
带宽:160MHz
摆率:3600V/μs
电源电压范围:5.5V to 34V
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MDIP
-3dB带宽增益乘积:130MHz
变化斜率:3600V/μs
器件标号:6171
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:34V
电源电压 最小:5.5V
电源电流:2.5mA
输入偏移电压 最大:6mV
额定电源电压, +:36V
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上海 0
美国 0
新加坡20
英国175 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM324AN/NOPB - 芯片 运算放大器 四路 1MHz 3mA 14DIP |
运放类型:低功率
放大器数目:4
摆率:0.5V/μs
电源电压范围:3V to 32V
封装类型:DIP
针脚数:14
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MDIL
-3dB带宽增益乘积:1MHz
变化斜率:0.5V/μs
器件标号:324
增益带宽:1MHz
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
电源电压 最大:32V
电源电压 最小:3V
输入偏移电压 最大:2mV
额定电源电压, +:32V
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上海 0
新加坡63
英国63 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM10CLN/NOPB - 芯片 运算放大器 单路 570mA 8-DIP |
运放类型:通用
放大器数目:2
摆率:0.2V/μs
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MDIP
-3dB带宽增益乘积:0.4MHz
变化斜率:0.2V/μs
器件标号:10
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:7V
电源电压 最小:1.1V
输入偏移电压 最大:4.0mV
额定电源电压, +:7V
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上海 0
新加坡25
英国 0 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMV824M/NOPB - 芯片 运算放大器 四路 轨至轨 5.6MHz 1.3mA |
运放类型:低电压
放大器数目:4
摆率:2V/μs
电源电压范围:2.5V to 5.5V
封装类型:SOIC
针脚数:14
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:NSOIC
-3dB带宽增益乘积:5.6MHz
变化斜率:2V/μs
增益带宽:5.6MHz
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.5V
电源电流:0.25mA
表面安装器件:表面安装
输入/输出类型:Rail-Rail Outputs
输入偏移电压 最大:4.0mV
输出电流 + 最大:40mA
额定电源电压, +:5.5V
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上海 0
美国 0
新加坡15
英国111 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMC662AIM/NOPB - 芯片 运算放大器 双路 CMOS 1.5MHz 28mA |
运放类型:低输入偏置
放大器数目:2
摆率:1.1V/μs
电源电压范围:4.75V to 15.5V
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:NSOIC
-3dB带宽增益乘积:1.4MHz
变化斜率:1.1V/μs
器件标号:662
增益带宽:1.4MHz
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:15.5V
电源电压 最小:4.75V
表面安装器件:表面安装
输入/输出类型:Rail-Rail Outputs
输入偏移电压 最大:3.3mV
额定电源电压, +:16V
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国145 |
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