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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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INTERSIL - CA3260AEZ - 芯片 运算放大器 4MHz BiMOS |
运放类型:高速
放大器数目:2
摆率:10V/μs
电源电压范围:4V to 16V
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-55°C to +125°C
封装类型:PDIP
-3dB带宽增益乘积:4MHz
变化斜率:10V/μs
器件标号:3260
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:125°C
电源电压 最大:16V
电源电压 最小:4V
表面安装器件:通孔安装
趋稳时间:1.8μs
输入偏移电压 最大:2mV
额定电源电压, +:16V
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERSIL - EL5210CSZ - 芯片 运算放大器 30MHz 轨至轨 |
运放类型:低功率
放大器数目:2
带宽:30MHz
摆率:33V/μs
电源电压范围:4.5V to 16.5V
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:30MHz
变化斜率:33V/μs
器件标号:5210
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Rail - Rail
电源电压 最大:16.5V
电源电压 最小:4.5V
电源电流:2.5mA
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:140ns
输入/输出类型:Rail-Rail I/O
输入偏移电压 最大:15mV
额定电源电压, +:18V
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上海 0
新加坡 0
英国1 |
1 |
1 |
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INTERSIL - CA3420EZ - 芯片 运算放大器 0.5MHz BiMOS |
运放类型:低电压
放大器数目:1
摆率:0.5V/μs
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-55°C to +125°C
封装类型:PDIP
-3dB带宽增益乘积:0.5MHz
变化斜率:0.5V/μs
器件标号:3420
增益带宽:0.5MHz
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:125°C
放大器类型:BIMOS Operational
电源电压 最大:20V
电源电压 最小:2V
电源电流:350μA
输入/输出类型:Rail-Rail Outputs
输入偏移电压 最大:10mV
额定电源电压, +:22V
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上海 0
美国 0
新加坡20
英国440 |
1 |
1 |
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INTERSIL - EL5166ISZ - 芯片 运算放大器 电流反馈 1.4GHz |
运放类型:电流反馈
放大器数目:1
带宽:1.4GHz
摆率:6000V/μs
电源电压范围:5V to 12V
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:1400MHz
变化斜率:6000Vμs
器件标号:5166
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:电流
电源电压 最大:12V
电源电压 最小:5V
电源电流:8.5mA
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:8ns
输入偏移电压 最大:5mV
额定电源电压, +:12.6V
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERSIL - EL2126CSZ - 芯片 放大器 超低噪声 低功率 |
运放类型:低噪声
放大器数目:1
摆率:110V/μs
电源电压范围:± 2.5V to ± 15V
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:100MHz
变化斜率:110V/μs
器件标号:2126
增益带宽:100MHz
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:低噪
电源电压 最大:15V
电源电压 最小:2.5V
电源电流:4.7mA
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:51ns
输入偏移电压 最大:2mV
额定电源电压, +:33V
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERSIL - EL2045CSZ - 芯片 运算放大器 100MHz 低功率 |
运放类型:低功率
放大器数目:1
摆率:275V/μs
电源电压范围:± 2V to ± 18V
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:100MHz
变化斜率:275V/μs
器件标号:2045
增益带宽:100MHz
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:低功耗
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:2.5V
电源电流:5.2mA
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:60ns
输入偏移电压 最大:7mV
额定电源电压, +:36V
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国212 |
1 |
1 |
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INTERSIL - CA3130AMZ - 芯片 运算放大器 15MHz BiMOS |
运放类型:高速
放大器数目:1
带宽:15MHz
摆率:30V/μs
电源电压范围:± 2.5V to ± 8V
封装??型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-55°C to +125°C
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:15MHz
变化斜率:30V/μs
器件标号:3130
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:125°C
电源电压 最大:16V
电源电压 最小:5V
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:1.2μs
输入偏移电压 最大:2mV
额定电源电压, +:16V
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国835 |
1 |
1 |
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INTERSIL - EL5220CYZ - 芯片 运算放大器 12MHz 轨至轨 |
运放类型:低功率
放大器数目:2
带宽:12MHz
摆率:10V/μs
电源电压范围:4.5V to 16.5V
封装类型:MSOP
针脚数:8
工作温度范围:-45°C to +85°C
封装类型:MSOP
-3dB带宽增益乘积:12MHz
变化斜率:10V/μs
器件标号:5220
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:16.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:500ns
输入/输出类型:Rail-Rail I/O
输入偏移电压 最大:12mV
输出电流 + 最大:30mA
额定电源电压, +:18V
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国20 |
1 |
1 |
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INTERSIL - EL2250CSZ - 芯片 运算放大器 125MHz 单路 |
运放类型:通用
放大器数目:2
带宽:125MHz
摆率:300V/μs
电源电压范围:2.7V to 12V
封??类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-45°C to +85°C
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:125MHz
变化斜率:275V/μs
器件标号:2250
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:12V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:12mV
额定电源电压, +:12.6V
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国60 |
1 |
1 |
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INTERSIL - ICL7650SCPA-1Z - 芯片 运算放大器 2MHz 超级斩波稳定 |
运放类型:CMOS
放大器数目:1
摆率:2.5V/μs
电源电压范围:4.5V to 16V
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:PDIP
-3dB带宽增益乘积:2MHz
变化斜率:2.5V/μs
器件标号:7650
增益带宽:2MHz
工作温度最低:0°C
工作温度最高:75°C
放大器类型:运放
电源电压 最大:16V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:5μV
额定电源电压, +:18V
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上海20
美国 0
新加坡 0
英国138 |
1 |
1 |
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INTERSIL - HFA1130IBZ - 芯片 运算放大器 580MHz 低失真 |
运放类型:低失真
放大器数目:1
带宽:850MHz
摆率:2300V/μs
电源电压范围:± 4.5V to ± 5.5V
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:850MHz
变化斜率:2300V/μs
器件标号:1130
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:11ns
输入偏移电压 最大:6mV
输出电流 + 最大:60mA
额定电源电压, +:12V
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERSIL - HFA1100IBZ - 芯片 运算放大器 580MHz 低失真 |
运放类型:低失真
放大器数目:1
带宽:850MHz
摆率:2300V/μs
电源电压范围:± 4.5V to ± 5.5V
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-45°C to +85°C
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:850MHz
变化斜率:2300V/μs
器件标号:1100
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:11ns
输入偏移电压 最大:6mV
输出电流 + 最大:60mA
额定电源电压, +:12V
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国18 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - OPA820ID - 芯片 运算放大器 单路 单位增益稳定 |
运放类型:低噪声
放大器数目:1
摆率:240V/μs
电源电压范围:± 2.5V to ± 6V
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-45°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:800MHz
变化斜率:240V/μs
器件标号:820
增益带宽:280MHz
工作温度最低:-45°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:12V
电源电压 最小:5V
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:26ns
静态电流, Iqc 最大值:6.4mA
额定电源电压, +:7V
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上海25
新加坡320
英国59 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - OPA4376AIPW - 芯片 运算放大器 精密 低噪 四路 |
运放类型:低噪声
放大器数目:4
摆率:2V/μs
??源电压范围:2.2V to 5.5V
封装类型:TSSOP
针脚数:14
工作温度范围:-40°C to +150°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TSSOP
-3dB带宽增益乘积:5.5MHz
变化斜率:2V/μs
器件标号:4376
增益带宽:5.5MHz
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:125°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.2V
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:2μs
输入/输出类型:Rail-Rail Inputs
输入偏移电压 最大:0.025mV
额定电源电压, +:7V
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上海 0
新加坡517
英国56 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - OPA2376AIDGKT - 芯片 运算放大器 精密 低噪 双路 |
运放类型:低噪声
放大器数目:2
摆率:2V/μs
??源电压范围:2.2V to 5.5V
封装类型:MSOP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +150°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MSOP
-3dB带宽增益乘积:5.5MHz
变化斜率:2V/μs
器件标号:2376
增益带宽:5.5MHz
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.2V
表面安装器件:表面安装
趋稳时间:1.6μs
输入/输出类型:Rail-Rail Inputs
输入偏移电压 最大:0.025mV
静态电流, Iqc 最大值:0.95mA
额定电源电压, +:7V
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上海 0
新加坡470
英国1337 |
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