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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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ANALOG DEVICES - OP07CPZ - 芯片 运算放大器 低偏移 50/管 |
运放类型:精密
放大器数目:1
带宽:0.6MHz
摆率:0.3V/μs
电源电压范围:± 3V to ± 18V
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:0.6MHz
变化斜率:0.3V/μs
器件标号:7
封装类型:管装
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:低偏移电压
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:3V
芯片标号:07
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:150μV
输入偏移量, 最大:1.6μV/°C
运放特点:精密
逻辑功能号:07
额定电源电压, +:15V
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无库存 |
50 |
1 |
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ANALOG DEVICES - AD797ANZ - 芯片 运算放大器 超低噪声 50/管 |
运放类型:低噪声
放大器数目:1
带宽:8MHz
摆率:20V/μs
电源电压范围:± 5V to ± 18V
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:8MHz
变化斜率:20V/μs
器件标号:797
封装类型:管装
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:低噪
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:5V
芯片标号:797
表面安装器件:通孔安装
逻辑功能号:797
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上海 0
新加坡 0
英国1 |
50 |
1 |
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ANALOG DEVICES - AD743JNZ - 芯片 运算放大器 BIFET 低噪声 管50 |
放大器数目:1
???宽:4.5MHz
针脚数:8
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
变化斜率:2.8V/μs
器件标号:743
封装类型:管装
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
放大器类型:BIFET
温度范围:商用
芯片标号:743
输入偏移电压 最大:1.5mV
运放特点:低噪声
逻辑功能号:743
额定电源电压, +:15V
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停产 |
50 |
1 |
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ANALOG DEVICES - OP27EPZ - 芯片 运算放大器 低噪声 50/管 |
运放类型:精密
放大器数目:1
带宽:8MHz
摆率:2.8V/μs
电源电压范围:± 4V to ± 18V
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:8MHz
变化斜率:2.8V/μs
器件标号:27
封装类型:管装
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
放大器类型:低噪
温度范围:商用
电源电压 最大:22V
芯片标号:27
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:25μV
运放特点:低噪声
逻辑功能号:27
额定电源电压, +:15V
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上海3
新加坡 0
英国 0 |
50 |
1 |
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LINEAR TECHNOLOGY - LT1014CN#PBF - 芯片 运算放大器 四路 精密 管25 |
运放???型:精密
放大器数目:4
摆率:0.4V/μs
电源电压范围:± 2V to ± 18V
封装类型:DIP
针脚数:14
工作温度范围:0°C 至 +70°C
封装类型:DIP
变化斜率:0.4V/μs
器件标号:1014
封装类型:管装
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
放大器类型:精度
温度范围:商用
电源电压 最大:22V
芯片标号:1014
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:0.4mV
运放特点:低功率
逻辑功能号:1014
额定电源电压, +:15V
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无库存 |
25 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM6142BIN - 芯片 运算放大器 双路 17MHz 轨到轨输入/输出 40/管 |
运放类型:通用
放大器数目:2
带宽:17MHz
摆率:25V/μs
电源电压范围:1.8V to 24V
封装类型:MDIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:17MHz
变化斜率:13V/μs
器件标号:6142
封装类型:管装
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:轨至轨输入/输出(RRIO)
电源电压 最大:24V
电源电压 最小:1.8V
芯片标号:6142
表面安装器件:通孔安装
输入/输出类型:Rail-Rail I/O
输入偏移电压 最大:3.3mV
运放特点:满幅输入/输出
逻辑功能号:6142
额定电源电压, +:5V
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无库存 |
40 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LF356N - 芯片 运算放大器 晶体管 JFET 40/管 |
运放类型:JFET
放大器数目:1
带宽:5MHz
针脚数:8
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:5MHz
变化斜率:12V/μs
器件标号:356
封装类型:管装
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
放大器类型:JFET运放
温度范围:商用
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:10V
芯片标号:356
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:13mV
逻辑功能号:356
额定电源电压, +:15V
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上海 0
新加坡2
英国75 |
40 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM324N - 芯片 运算放大器 四路 低功率 25/管 |
运放类型:低功率
放大器数目:4
带宽:1MHz
针脚数:14
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:1MHz
变化斜率:0.5V/μs
器件标号:324
封装类型:管装
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:低功耗
电源电压 最大:32V
电源电压 最小:3V
芯片标号:324
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:7mV
逻辑功能号:324
额定电源电压, +:5V
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上海 0
新加坡23
英国18 |
25 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM324AN - 芯片 运算放大器 四路 低功率 25/管 |
运放类型:低功率
放大器数目:4
带宽:1MHz
针脚数:14
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:1MHz
变化斜率:0.5V/μs
器件标号:324
封装类型:管装
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
放大器类型:低功耗
电源电压 最大:32V
电源电压 最小:3V
芯片标号:324
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:7mV
逻辑功能号:324
额定电源电压, +:5V
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上海 0
新加坡2
英国33 |
25 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM358N - 芯片 运算放大器 双路 低功率 40/管 |
运放类型:低功率
放大器数目:2
带宽:1MHz
针脚数:8
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:1MHz
变化斜率:0.1V/μs
器件标号:358
封装类型:管装
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
放大器类型:低功耗
温度范围:商用
电源电压 最大:32V
电源电压 最小:3V
芯片标号:358
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:7mV
运放特点:单电源供电
逻辑功能号:358
额定电源电压, +:5V
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上海 0
新加坡2
英国59 |
40 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM741CN - 芯片 补偿运算放大器 40/管 |
运放类型:通用
放大器数目:1
带宽:1MHz
针脚数:8
工作???度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:1MHz
变化斜率:0.5V/μs
器件标号:741
封装类型:管装
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
放大器类型:Compensated
温度范围:商用
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:10V
芯片标号:741
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:6mV
运放特点:补偿放大器
逻辑功能号:741
额定电源电压, +:15V
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上海 0
新加坡2
英国32 |
40 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM675T - 芯片 运算放大器电源 管45 |
运放类型:高功率
放大器数目:1
带宽:0.07MHz
针脚数:5
工作温???范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220
-3dB带宽增益乘积:5.5MHz
变化斜率:8V/μs
器件标号:675
封装类型:管装
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
放大器类型:功率
温度范围:商用
电源电压 最大:60V
电源电压 最小:16V
芯片标号:675
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:10mV
运放特点:功率
逻辑功能号:675
额定电源电压, +:25V
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上海 0
新加坡1
英国4 |
45 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMC6484IN - 芯片 运算放大器 四路 CMOS 25/管 |
运放类型:低电压
放大器数目:4
带宽:1.5MHz
针脚数:14
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:1.5MHz
变化斜率:1.3V/μs
器件标号:6484
封装类型:管装
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:CMOS
电源电压 最大:15.5V
电源电压 最小:3V
芯片标号:6484
表面安装器件:通孔安装
输入/输出类型:Rail-Rail I/O
输入偏移电压 最大:3.8mV
运放特点:CMOS
逻辑功能号:6484
额定电源电压, +:5V
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上海 0
新加坡 0
英国4 |
25 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMC6482IN - 芯片 运算放大器 双路 CMOS 40/管 |
运放类型:低电压
放大器数目:2
带宽:1.5MHz
摆率:1.3V/μs
电源电压范围:3V to 15.5V
封装类型:MDIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:1.5MHz
变化斜率:1.3V/μs
器件标号:6482
封装类型:管装
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:CMOS
电源电压 最大:15.5V
电源电压 最小:3V
芯片标号:6482
表面安装器件:通孔安装
输入/输出类型:Rail-Rail I/O
输入偏移电压 最大:3.8mV
运放特???:CMOS
逻辑功能号:6482
额定电源电压, +:5V
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上海 0
新加坡20
英国2 |
40 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - OP07CP - 芯片 运算放大器 低偏移 50/管 |
运放类型:低噪声
放大器数目:1
带宽:0.6MHz
摆率:0.3V/μs
电源电压范围:± 3V to ± 18V
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:0.6MHz
变化斜率:0.3V/μs
器件标号:7
封装类型:管装
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
放大器类型:低偏移电压
温度范围:商用
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:3V
芯片标号:7
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:150μV
输入偏移量, 最大:1.8μV/°C
运放特点:???密
逻辑功能号:7
额定电源电压, +:15V
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上海 0
新加坡 0
英国52 |
50 |
1 |
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