 | DIODES ZETEX - DMN2005LP4K-7 - 场效应管 MOSFET N沟道 DFN1006-3 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:DFN1006H4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DFN1006H4
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:200mA
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:900mV
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