 | DIODES INC. - ZVN2106GTA - 场效应管 MOSFET N SOT-223 每卷1K |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:710mA
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):2ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:2W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOT-223
SMD标号:ZVN2106
功率, Pd:2W
外宽:6.7mm
外部深度:7.3mm
外部长度/高度:1.7mm
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
每卷数量:1000
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:0.7A
电流, Idm 脉冲:8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V
阈值电压, Vgs th 最高:2.4V
| 无库存 | 1,000 | 1 | | 删除 |
