 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SGH80N60UFDTU - 晶体管 IGBT 每管30 |
晶体??类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-3P
针脚数:3
上升时间:50ns
下降时间:50ns
功率, Pd:195W
功耗:195W
封装类型:TO-3P
总功率, Ptot:195W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:80A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:220A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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