| FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA25N120ANTD - 晶体管 IGBT TO-3P 每管30 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-3P
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:50ns
功率, Pd:312W
功耗:312W
封装类型:TO-3P
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:25A
电流, Icm 脉冲:75A
表面安装器件:通孔安装
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