 | RENESAS - 2SJ221-E - 场效应管 MOSFET P TO-220 |
晶体管极性:P沟道
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.22ohm
功耗:75W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:75W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-100V
电流, Id 连续:20A
电流, Idm 脉冲:80A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
阈值电压, Vgs th 最高:-2V
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