 | RENESAS - 2SK1317-E - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:2.5A
电压, Vds 最大:1500V
开态电阻, Rds(on):12ohm
电压 @ Rds测量:15V
电??, Vgs 最高:4V
功耗:100W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:100W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:1500V
电流, Id 连续:2.5A
电流, Idm 脉冲:7A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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