 | SEMELAB - BUZ900 - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:1.5V
功耗:125W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:125W
器件标记:BUZ900
封装类型:TO-3
封装类型, 替代:TO-204AA
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:160V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
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