 | VISHAY SILICONIX - SI9926CDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双路 NN SO-8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:Dual N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.018ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
功耗:3.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SO
封装类型:SO-8
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
上升时间:10ns
功率, Pd:3.1W
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:8A
阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
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