 | NXP - PSMN4R0-30YL - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 99A SOT669 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:99A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):2.72mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:69W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-669
功率, Pd:69W
封装类型:SOT-669
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:99A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.004ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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