 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6036P - 场效应管 MOSFET 双P沟道 20V 5A 6SSOT |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-5A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):44mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:-700mV
功耗:1.8W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SSOT
封装类型:SSOT
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电压, Vgs 最高:-8V
电流, Id 连续:-5A
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