 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQD1N60TF - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 1A DPAK |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):11.5ohm
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D-PAK
SMD标号:FQD1N60TF
功率, Pd:2.5W
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:D-PAK
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:1A
电流, Idm 脉冲:4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
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