 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG315N - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 2A SC70-6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:30V
???态电阻, Rds(on):0.12ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:1.8V
功耗:0.75W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-70
针脚数:6
器件标记:.15
封装类型:SC70
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:2A
电流, Idm 脉冲:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
阈值电压, Vgs th 最高:3V
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