| SANYO - FW217-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 35V 6A SOT96 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:35V
开态电阻, Rds(on):0.044ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
功耗:1.8W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:35V
电流, Id 连续:6A
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 1 | | 删除 |