 | SANYO - FTD2011A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A TSSOP8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:20V
开态??阻, Rds(on):39mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.3W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TSSOP
封装类型:TSSOP
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:4A
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