 | SANYO - ECH8663R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 8A ECH8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):20.5mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.5W
封装类型:ECH8
封装类型:ECH8
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:8A
| 上海 0 新加坡 0 英国70 | 1 | 1 | | 删除 |
