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TOSHIBA - 2SK3878(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 9A 900V TO3P  晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:9A 电压, Vds 最大:900V 开态电阻, Rds(on):1.3ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:150W 封装类型:TO-3P 封装类型:TO-3P 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:900V 电流, Id 连续:9A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 上海 0 新加坡20 英国3 1 1 删除