 | TOSHIBA - 2SK4003(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 3A 600V TO251AA |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):2.2ohm
??压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:20W
封装类型:TO251AA
封装类型:PW-MOLD2
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:3A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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