 | TOSHIBA - 2SK4103(TE16L1NQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 500V DPAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:40W
封装类型:DPAK
封装类型:PW-MOLD
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
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