 | TOSHIBA - 2SK4108(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 500V TO3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.27ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
封装类型:TO-3P
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:20A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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