 | TOSHIBA - TPC8018-H(TE12LQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 18A 30V SOP8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.0046ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.9W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:18A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
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