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TOSHIBA - TK20A60T(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO220  晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:20A 电压, Vds 最大:600V 开态电阻, Rds(on):0.190ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:45W 封装类型:TO-220SIS 封装类型:TO-220SIS 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:600V 电流, Id 连续:20A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:5V 上海 0 新加坡 0 英国33 1 1 删除