 | TOSHIBA - SSM3J02T(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 1.5A 30V SOT23 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-1.5A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.5ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:1.25W
封装类型:SOT-23
封装类型:TSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:1.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
| 上海 0 新加坡 0 英国1953 | 1 | 1 | | 删除 |
