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TOSHIBA - SSM3K02T(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 2.5A 30V SOT23  晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:2.5A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.2ohm 电压 @ Rds测量:4V 电压, Vgs 最高:10V 功耗:1.25W 封装类型:SOT-23 封装类型:TSM 晶体管类型:Small Signal MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:2.5A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V 上海 0 新加坡 0 英国769 1 1 删除