 | TOSHIBA - SSM6K18TU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 4A 20V SSOTFMLP |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:20V
开态电???, Rds(on):0.040ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:500mW
封装类型:UF6
封装类型:UF6
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
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