 | SANYO - 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):43mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:3.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-243
针脚数:3
封装类型:TO-243
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
| 上海 0 新加坡 0 英国558 | 1 | 1 | | 删除 |
