 | SANYO - FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96 |
晶体管极性:Dual N Channel
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):22mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:8A
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