 | STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):35mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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